A TSMC háza táján jelenleg a 7 nm-es gyártástechnológia a legmodernebb, amelyet tömegtermelésben használnak, de a fejlesztőcsapat már a 6 és 5 nm-es gyártástechnológiák bevetésére is készül, ahogy arról korábbi hírünkben már írtunk. A távolabbi jövőben, valamikor 2022 környékén a 3 nm-es gyártástechnológia is bevetésre kerülhet, amely több területen is lényeges változásokat hoz.
A fejlesztésével kapcsolatos munka a jelek szerint nagyon jól halad, ugyanis a tajvani bérgyártó bejelentése szerint az első korai megrendelőkkel már zajlanak az egyeztetések azzal kapcsolatban, milyen igényeknek kéne megfelelnie az újításnak. Az N3 gyártástechnológia pontos specifikációja még nem készült el, fejlesztés alatt áll, ám a tempó mindenképpen bíztató, legalábbis a hivatalos beszámoló alapján úgy tűnik.
A 3 nm-es gyártástechnológiával kapcsolatban egyelőre nagyon kevés konkrétumot árult el a TSMC, ami a fentiek alapján persze nem is túl nagy meglepetés. Annyi biztos, hogy az alapját már nem a FinFet, hanem a GAAFET technológia biztosítja, ami nanolapkákra alapozó Gate-All-Around MBCFET tranzisztorok alkalmazását jelenti. Az egyelőre nem világos, hogy az 5 nm-es csíkszélességhez képest pontosan milyen előnyöket kínál a 3 nm-es gyártástechnológia, az viszont biztos, hogy nem az N5 továbbfejlesztett változata lesz, hanem egy új, teljesen friss alapokat használó megoldás.
Az N3 gyártástechnológia – amely miatt egy új üzemet is felhúznak – várhatóan az EUV és a DUV levilágítást egyaránt használni fogja a rétegeknél, viszont EUV rétegekből jó eséllyel előrelépést hoz az N5-höz képest, azaz 14-nél több réteget alkalmaz majd.
Az új gyártástechnológiával kapcsolatban egyelőre tehát csak pozitívumokról tud beszámolni a TSMC – reméljük, idővel az is szóba kerül, hogy az N5-höz képest pontosan mekkora fejlődést hoz az N3.
