A TSMC a 7 nm DUV és 7 nm EUV gyártástechnológiák mellé egy 6 nm EUV megoldást is készített, ami lényegében a piacvezető N7 technológia alapjaira támaszkodik. Ahogy a Samsungnál a 6 és az 5 nm esetében, úgy a TSMC-nél is egyszerű a 7 nm-es, azaz N7-es gyártástechnológiáról N6-os csíkszélességre történő átállás, ami a közös alapoknak köszönhető. Az N6 éppen ezért kellően versenyképes lesz a piacon, teljesítmény/költség aránya pedig kiemelkedően jó, valamint az N7-esről az N6-osra történő migráció is gyorsan, zökkenőmentesen mehet végbe az újra felhasználható eszközöknek és technológiáknak köszönhetően, ami nagy könnyítés a partnerek számára.
A vállalat közleménye szerint az N6-os gyártástechnológia az EUV alapokon nyugvó N7+-hoz képest 18%-kal magasabb tranzisztorsűrűség elérésére ad lehetőséget, ami mindenképpen előnyösnek tűnik. A vállalat szerint az EUV alapú N6-os gyártástechnológia rengeteg területen jöhet jól, így egyebek mellett felsőkategóriás és középkategóriás mobil SoC egységek, mesterséges intelligenciával kapcsolatos feladatokat gyorsító megoldások, 5G-s modemek, grafikus processzorok, valamint nagyteljesítményű központi egységek is készülhetnek rajta.
A TSMC vezetése most úgy tervezi, hogy az N6-os gyártástechnológia 2020 első negyedévében állhat kísérleti termelésbe. A sorozatgyártás beindításával kapcsolatban egyelőre nem adott tájékoztatást a vállalat. Az viszont biztos, hogy a 7 nm-es EUV, azaz az N7+ gyártástechnológia idén júniusban áll tömegtermelésbe.
