A Samsung a harmadik negyedéves pénzügyi eredmények részletezésére tartott sajtótájékoztató alkalmával megosztott néhány érdekes részletet azzal kapcsolatban, mi a helyzet a vállalat új gyártástechnológiáival kapcsolatban. A dél-koreai óriásvállalat már egy ideje használja a 7 nm-es LPP (Low Power Performance) node-ot a különböző lapkák gyártásához, eddig ez volt a legmodernebb, tömegtermelésben is elérhető gyártástechnológia a Samsung háza táján.
Időközben kiderült, hogy az 5 nm-es LPE (Low Power Early) csíkszélesség is csatasorba állt az elmúlt hetek, illetve hónapok folyamán. Ezzel a gyártástechnológiával kapcsolatban korábban olyan pletykák röppentek fel, amelyek azt állították, nincs minden rendben a kihozatali arányok terén, ám azóta a jelek szerint javult a helyzet, hiszen az új gyártástechnológia tömegtermelésbe állhatott.
Az 5 nm-es gyártástechnológia lényegében a 7 nm-es csíkszélesség továbbfejlesztett változatának tekinthető, így a 7 nm-es LPP node esetében használt IP nagy része felhasználható lesz az 5 nm-es csíkszélességgel dolgozó gyártástechnológiához is, ami mindenképpen jó hír lehet. A 7 nm-es LPP csíkszélesség továbbfejlesztésével készített 5 nm LPE így is látványos előrelépést hoz teljesítmény és energiahatékonyság terén: azonos fogyasztás mellett 10%-kal magasabb teljesítményre számíthatunk, míg azonos komplexitás és teljesítmény mellett 20%-os fogyasztáscsökkenésre lehet kilátás. A Samsung szerint az új node esetében 1,33x magasabb tranzisztor-sűrűség érhető el, mint a 7 nm LPP esetében, ami szintén jól hangzik.
Az 5 nm LPE gyártástechnológia segítségével számos következő generációs SoC egység készülhet a közeljövőben, köztük lesz a Qualcomm Snapdragon 875 is, amit a Samsung egyedüli bérgyártóként készíthet. Utóbbi arra utal, hogy az 5 nm-es csíkszélesség kihozatali arányával tényleg minden rendben van manapság.
