A Samsung egy új tokozási technológiát fejlesztett ki, ami a Hybrid-Substrate Cube (H-Cube) nevet viseli, elsődleges célpontjai között pedig olyan szegmensek foglalnak helyet, mint a HPC, az AI, az adatközpontok és a nagy teljesítményű hálózati termékek, amelyeknek mind-mind nagy teljesítményre van szükségük. Ahhoz persze, hogy ezt a nagy teljesítményt el lehessen érni, speciális tokozási lehetőségekre van szükség, amelyekkel több lapka zsúfolható egy helyre, mint korábban, lehetőleg helytakarékos módszerekkel.
Itt jön képbe a H-Cube technológia, ami főként a HBM memórialapkákat alkalmazó megoldásokhoz készült, méghozzá abban a felfogásban, hogy költséghatékonyabban lehessen hat, vagy annál több HBM lapkát egymásra rétegezni. Alap esetben a HBM lapkák egy köztes interposer lapkán kapnak helyet, amely egy finom raszter-osztású hordozórétegen keresztül kapcsolódik a nyomtatott áramköri laphoz. A Samsung új technológiája ehhez képest egy extra réteget is bevet, ami egy nagy-sűrűségű összekötő (HDI – High-Density Interconnect), ami a finom raszter-osztású hordozóréteg és a nyomtatott áramköri lap közötti kapcsolatot biztosítja.
Az újításnak köszönhetően a finom raszter-osztású hordozórétegnek nem kell olyan nagynak lennie, hogy a nyomtatott áramköri lap igényeinek megfeleljen, így a forrasztási pontok közötti távolságot 35%-kal csökkenteni lehetett. A Samsung H-Cube technológiája arról is gondoskodik, hogy a tápellátás stabilitása megfelelő legyen, valamint a jeltorzulás és a jelveszteség mértékét is minimálisra csökkenti, így hatékonyabban rétegezhető egymásra több logikai lapka és HBM lapka is.
A HC-ube technológia elsősorban a felsőkategóriás megoldásokhoz passzol, amelyek legalább hat, vagy annál több HBM memórialapkát alkalmaznak, de igény szerint olcsóbb és egyszerűbb termékek gyártására is lehet majd használni.
