Néhány napja már szárnyra kapott az a pletyka, hogy a Qualcomm hamarosan leleplezheti a Quick Charge gyorstöltési technológia következő generációját. És most már biztosan kijelenthetjük, hogy a hírek igaznak bizonyultak, ugyanis a Snapdragon Technology Summit rendezvény keretében a vállalat bejelentette a Quick Charge 4 érkezését.
Az első változás, ami ugyan apróság, de nem mehetünk el mellette szó nélkül, hogy módosult a névséma. Eddig a különböző Quick Charge generációkat x.0 jelzéssel illette a Qualcomm, az új verzió viszont már csak szimplán a Quick Charge 4-ként debütált. A technológia fejlődésének köszönhetően 20 százalékkal ígér gyorsabb töltési teljesítményt az új eljárás, miközben maga a töltés alatt álló készülék jelentősen, átlagosan mintegy 5 fokkal hidegebb marad. Ráadásképpen pedig még az energiahatékonyság is javulást fog mutatni, ilyen tekintetben nagyjából 30%-os javulást vetít előre a Qualcomm. A vállalat szerencsére nemcsak beszélt, hanem mutatott is ezt-azt. Prezentálás céljából eljátszott egy 2750 mAh-s kapacitású akkumulátorral, amit mindössze 5 perc alatt sikeresen töltött fel annyira, hogy utána 5 órán át lehetett folyamatosan telefonálni a rábízott mobillal.
A Quick Charge 4 titka egyebek mellett abban rejlik, hogy itt a Qualcomm már egy átdolgozott, továbbfejlesztett energiagazdálkodási algoritmust használ az INOV 3.0 (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) technológia személyében. Ez példának okáért a munkája során már a valós idejű hőmérsékleti adatokat is képes számításba venni az energiaátvitel optimalizálásakor. Frissült a Qualcomm akkumulátorkímélő technológiája is, ennek köszönhetően állítólag egy hagyományos lítium-ion akkumulátornál még 500 töltési ciklust követően is fenntartható lesz az eredeti kapacitásnak mintegy 80 százaléka. Továbbá itt már megjelent a Dual Charge++, ami a korábban alkalmazott DC+ technológia helyébe lépett, és a töltés gyorsítását szolgálja. Fontos, hogy új eljárás természetesen kompatibilis a C-típusú USB csatlakozóval és, hogy megfelel az USB-PD (Power Delivery) által előírt szabályoknak, amiket az USB Implementers Foruma fektetett le.
A korábbi eljárásoknál a Qualcomm a gyorsabb töltést úgy érte el, hogy a Vbus felett is töltőáramot vitt át a folyamat során, ami nem egyezett meg a C-típusú USB által felvezetett specifikációnak. A Google pedig fel is lépett ezen megoldások ellen az Android 7 kompatibilitást leíró dokumentumokban, ami ettől kezdve már azt is kimondja, hogy nem lehet olyan töltési eljárásokat használni a Nougat mellett, ami nem felel meg az USB-PD-nek. Mivel a Quick Charge 3.0 után itt már más metódust használ a Qualcomm a kívánt eredmény eléréséhez, így szerencsére az új gyorstöltési eljárást nem érinti ez az ügy.
Még mielőtt valaki attól tartana, hogy a Quick Charge 4 megjelenését követően még több esetben történhet tűzeset az okostelefonok miatt, mindenkit megnyugtatunk, hogy a Qualcomm szerint inkább éppen ennek az ellenkezőjét lehet kilátásba helyezni. A tervezők nagy figyelmet szenteltek a megbízhatóságra, ebből fakadóan a Quick Charge új generációja már több biztonsági megoldást foglal magában, mint például a QC 3.0 tette. A hivatalos közlemény alapján van a rendszerben túlfeszültség, túláram, és összetett túlmelegedés elleni védelem is, ez utóbbi figyelemmel kíséri a vázszerkezet, az akkumulátor és az energiagazdálkodásért felelős IC-k hőmérsékletét. És ha ez nem lenne elég, még a töltésre használt kábel minőségét is képes vizsgálni a Quick Charge 4, valamint a túltöltés ellen is jobb hatékonysággal fog fellépni, mint az elődje tette. A Qualcomm tehát leszögezte, hogy az új fejlesztés révén úgy lesz minden eddiginél gyorsabb a töltés folyamata, hogy az akkumulátor és minden más elem (mobil, kábel, adapter) is nagyobb biztonságban lesz.
A Qualcomm két új energiagazdálkodáshoz kapcsolódó IC-t is felvezetett a Quick Charge 4 kapcsán, az egyik az SMB1380, a másik újdonság pedig az SMB1381. Ezek a PMIC-k (Power Management IC) a Dual Charge++ képességhez kapcsolódnak, ami az energiahatékonyság és a töltés sebességének növelésére szolgál majd; ennek köszönhetően három amper mellett állítólag 95 százalékos hatékonyság lesz elérhető. Az SMB1380 és az SMB1381 még az év vége előtt elérhetővé válik, és ennek köszönhetően 2017 elején már különböző eszközökbe integrálva is megjelenhetnek.
A Qualcomm a Quick Charge 4 leleplezése mellett még egy fontos dolgot tett a New York-i Snapdragon Technology Summit eseményen: megnevezte a következő felsőkategóriás központi chipjét. Érkezik a Snapdragon 835. A fejlesztés alatt álló csúcs-Snapdragonon a Qualcomm szakemberei közösen dolgoznak a Samsung mérnökeivel, mégpedig azért, mert a Samsung felel majd a gyártásért, és ez már a jelenlegi 14 nm-es gyártástechnológiáról előre lépve 10 nm-es csíkszélességen fog világra jönni. A Snapdragon 835 lesz az első olyan lapka, amelynél már a Quick Charge 4 eljárást alkalmazza a Qualcomm, szóval több szempontból is fontos ez a megoldás. Az újdonság gyártása a következő negyedévben kezdődhet, és ha minden igaz, akkor még 2017 első felében bevetésre is kerülhet.
