A Toshiba Memory még 2017 februárjában kezdte meg egy új, Fab 6 névre keresztelt üzem építtetését, amelyben a tervek szerint DRAM és NAND Flash memóriachipek készülhetnek a nem is oly távoli jövőben, de ezzel együtt egy Memory R&D Center nevű beruházás is elkezdődött ugyanezen a helyszínen, ami a memóriatechnológiák kutatását és fejlesztését segíti. A Western Digital és a Toshiba illetékesei ma örömmel jelentették be, hogy a Fab 6-os üzem végre megnyitotta kapuit, sőt, a hónap eleje óta már a 96 rétegű 3D NAND Flash memórialapkák sorozatgyártását is megkezdték.
A felek szerint a 3D NAND Flash lapkák irányi kereslet tovább növekedhet az elkövetkező évek során, ugyanis az adatközpontokban, a vállalati szerverekben és az okostelefonokban is egyre több tárhelyre van szükség – plusz ugye az átlagfelhasználói és üzleti SSD piac is meglehetősen komolyan pezseg. A gyártópáros az elkövetkező időszakban újabb befektetésekkel biztosítja majd, hogy az üzem lépést tudjon tartani az aktuális piaci trendekkel, így szükség esetén a gyártókapacitás bővítésére is gond nélkül sort lehet keríteni.
Az új üzem mellett elhelyezkedő Memory R&D Center már idén március óta dolgozik, elsődleges feladata pedig az, hogy biztosítsa a 3D NAND Flash memóriachipek fejlődését az ehhez szükséges kutatásokkal és fejlesztésekkel. Arról nincs hír, hogy az üzemben pontosan hány mérnök dolgozik, illetve a távolabbi tervekről sem tett említést a vállalat hivatalos sajtóközleménye.
