A Samsung egy igazán jelentős mérföldkőhöz érkezett a DRAM piacon a napokban, ugyanis a vállalatnál leszállították az első egymillió olyan DDR4-es DRAM modult, amelyek már EUV litográfiával kiegészített gyártástechnológiával készültek. Ezek a memóriamodulok ráadásul az iparág első EUV alap megoldásai, amelyek 10 nm-es osztályú (D1x) csíkszélességgel készülnek, a pontos csíkszélességet azonban nem árulta el a gyártó, de ez a memóriapiacon nem egy szokatlan dolog.
A dél-koreai vállalat a piacon elsőként alkalmazta az EUV levilágítást annak érdekében, hogy a DRAM chipek skálázása során jelentkező kihívásokat hatékonyan leküzdhesse. Az EUV segítségével a lapkák mintázásához szükséges lépések száma csökken, a mintázás pontossága javul, ez pedig összességében sokkal jobb kihozatal arányt eredményez, valamint a fejlesztéshez szükséges időt is érezhetően lerövidíti.
Az EUV technológiának a következő időszakban egyre nagyobb szerepel lesz a DRAM gyártásban, ugyanis a negyedik generációs 10 nm-es osztályú (D1a), illetve a fejlett 14 nm-es osztályú gyártástechnológiáknál egyaránt bevetik a DRAM lapkák gyártásához. A Samsung várakozásai szerint a D1a gyártástechnológia segítségével már a következő évben megindulhat a DDR5-ös és az LPDDR5-ös memórialapkák sorozatgyártása, a termelékenység ezzel egy időben duplájára növekedhet a 12 hüvelykes D1x alapú szilíciumostyákéhoz képest.
A DDR5-ös és az LPDDR5-ös lapkák piacának bővülésével a vállalat szorosabbra fűzi az együttműködést az IT vásárlókkal és a félvezetőpiaci gyártókkal annak érdekében, hogy optimalizálni lehessen a szabványok specifikációit – ez segíteni fog a DDR5/LPDDR5 szabványokra történő átállás felgyorsításában a memóriapiacon.
A vállalat annak érdekében, hogy még jobban kielégíthesse a prémium DRAM termékek iránt egyre növekvő igényeket, rövidesen, még az év második felében megkezdi egy második félvezető gyártósor beüzemelését a Pyeongtaek területén található üzemben.
