KÍNÁBAN KEZDŐDIK A DRAM LAPKÁK ORSZÁGON BELÜLI GYÁRTÁSA

Kínában az elmúlt évek folyamán fontos szemponttá vált az, hogy országon belül tudják kifejleszteni és legyártani a különböző lapkákat, hiszen ennek köszönhetően ezen a területen függetlenedhetnek az importszükségletektől, ami több szempontból is előnyös. A kormányzatba szánt eszközöket például hazai technológiákkal és Kínában készült chipekkel gyárthatják le, ami nemzetbiztonsági szempontból fontos előny lehet, de ezzel együtt sokkal jobban a saját igényeikre szabhatják a különböző termékeket, ami ismét csak pozitívum.

A NAND Flash szegmensben már sikerült elérni néhány figyelemre méltó részeredményt, ám a tervek szerint nem csak itt, hanem a DRAM szegmensben is saját lábára szeretne állni Kína. Ennek érdekében 2016 folyamán megalapították a ChangXin Memory Technology névre keresztelt vállalatot, amelynek feladata a DRAM gyártás feltételeinek megteremtése, illetve a lapkák gyártása is.

A Chinese Securities Journal értesülései szerint a szóban forgó vállalat időközben már el is kezdte a DRAM lapkák gyártását, így Kína idővel csökkentheti az importtól való függőségét, hiszen a Micron, az SK Hynix és a Samsung termékei helyett saját, országon belül kifejlesztett és legyártott DRAM lapkáit használhatja a különböző termékekben, amelyek egyebek mellett a kormányzati szerveket is kiszolgálják.

A ChangXin első DRAM lapkái az információk szerint 18 nm-es csíkszélességgel készülnek, így a 10 nm-es osztályba tartoznak, csak úgy, ahogy a Micron, a Samsung, illetve az SK Hynix megoldásai, amelyek 12, 14 és 16 nm-es csíkszélességgel készülnek. A kínaiak ezen a téren tehát elég jól állnak.

Az aktuális információk szerint a ChangXin Memory Technology üzemeiben havi szinten nagyjából 120 000 szilícium ostyát tudnak legyártani, az első kész DRAM chipeket pedig még ez idei év végéig elérhetővé tehetik. A DRAM lapkák pontos típusáról és paramétereiről egyelőre nincs hír.