A Samsung megkezdte legújabb eUFS, azaz Embedded Universal Flash Storage chipjének sorozatgyártását, ami komoly előrelépést képvisel elődjéhez képest: 256 GB helyett már 512 GB adattároló kapacitást kínál.
Az új chip alapját 64 rétegű 512 Gb-es V-NAND Chipek adják, amelyekből összesen nyolc biztosítja az 512 GB-os adattároló kapacitást, de a tokozáson belül egy vezérlő is jelen van, így tulajdonképpen egychipes adattárolóról beszélhetünk. A kész chip ugyanakkora, mint a korábbi, 48 rétegű V-NAND lapkákat alkalmazó 256 GB-os eUFS modell volt. A kétszer több cellával dolgozó adattároló esetében számos saját fejlesztésű technológiát is bevet a gyártó, hogy mind teljesítmény, mind pedig fogyasztás terén ütőképes lehessen a termék. Az optimális fogyasztásért új energiamenedzsment-felügyelő rendszer felel, a jó teljesítményről pedig a vezérlő gondoskodik, ami segít felgyorsítani a logikai blokkcímek fizikai blokkcímekké történő konvertálását.
A kész lapka a következő generációs mobileszközökben kaphat helyet, ott is jellemzően a felső-közép, illetve a csúcskategóriát veheti célba. Folyamatos olvasási sebesség terén 860 MB/s-os értékre képes, folyamatos írási sebessége pedig 255 MB/s környékén helyezkedik el, így egy 5 GB-os Full HD klippet nagyjából 6 másodperc alatt tud átküldeni egy SSD-re, azaz több, mint nyolcszor gyorsabb egy átlagos microSD memóriakártyánál. Utóbbit előszeretettel használják a mobilozók költséghatékony adattároló-kapacitás bővítésre. Az új chip véletlenszerű írási feladatok alkalmával 40 000, véletlenszerű olvasási feladatok alkalmával pedig 42 000 I/O műveletet tud elvégezni egyetlen másodperc leforgása alatt. A Samsung szerint ezzel nagyjából 400-szor gyorsabb, mint egy tipikus microSD memóriakártya, ami 100 IOPS nagyságrendű véletlenszerű adatátviteli teljesítmény elérésére képes. Árakat egyelőre nem tudunk.
