GYORSAK ÉS NAGY ADATSŰRŰSÉGGEL BÜSZKÉLKEDNEK A SAMSUNG 8. GENERÁCIÓS 3D V-NAND FLASH MEMÓRIACHIPJEI

A nagyobb adatsűrűség és a kisebb kiterjedés miatt a gyártás is hatékonyabban történik, ugyanis ezekből a lapkákból 20%-kal több fér ugyanakkora szilícium-ostyára, mint a hasonló adattároló kapacitású, de nagyobb lapkákból.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
2022. nov. 7. 13:27
Gyorsak és nagy adatsűrűséggel büszkélkednek a Samsung 8. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipjei

A Samsung Electronics egy komoly mérföldkőhöz érkezett, ugyanis a vállalatnál megkezdődött a következő, immár 8. generációt képviselő 3D V-NAND Flash memóriachipek tömegtermelése. A vállalat a korábban megrendezett Flash Memory Summit 2022 és a Samsung Memory Tech Day 2022 alkalmával már említést tett arról, hogy a 8. generációs 3D V-NAND Flash memórialapkák nagyobb volumenben történő termelése még idén, valamikor az év vége előtt megkezdődhet, az ígéretet pedig sikerült betartani.

A fentiek értelmében most már tömegtermelésben vannak a 8. generációs, TLC alapokon nyugvó 8. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek, amelyek 1 Tb-es kapacitással bírnak, és lényegében az iparág legnagyobb bitsűrűségével büszkélkednek. Az 1 Tb-es megoldások jelenleg a legnagyobb adatsűrűséget és adattároló kapacitást kínálják, ami a következő generációs üzleti rendszerek esetében az eddigi legnagyobb adattároló kapacitások elérését teszik lehetővé, és idővel természetesen a klienspiaci termékekbe is leszivárognak majd.

Galéria megnyitása

A 236 cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipeknek nagy jelentőségük lesz a következő generációs PCI Express 5.0-s SSD kártyák fedélzetén, ugyanis ezek a memórialapkák 2400 MT/s adatátviteli sávszélességre képesek, ami a jelenleg forgalomban lévő termékek többségéről nem mondható el, ezért is van akkora szórás az új generációs SSD kártyák teljesítményében. A Samsung friss memóriachipjeit a megfelelő SSD vezérlővel kombinálva 12 GB/s feletti adatátviteli sávszélesség érhető el az új generációs SSD kártyák esetében.

A Samsung szerint az új memóriachipek esetében az egy szilícium-ostyára jutó produktivitás mértéke 20%-kal jobb, mint az eddigi, azonos adattároló kapacitással, de nagyobb kiterjedéssel rendelkező 3D NAND Flash memórialapkáknál, ami segít a gyártási költségek csökkentésében, már amennyiben a kihozatali arány is azonos szinten helyezkedik el.

Az új memórialapkák pontos felépítésével és pontos méretével kapcsolatban egyelőre nem érkezett információ, ám alighanem ezekre a paraméterekre is rövidesen fény derülhet. A Samsung egyelőre nem jelentett be egyetlen olyan új terméket sem, amely már a 8. generációs 3D V-NAND Flash memórialapkák köré épülhet, a későbbiekben viszont változás várható ezen a téren.

Hírlevél feliratkozás
A feliratkozással elfogadom a Felhasználási feltételeket és az Adatvédelmi nyilatkozatot.

2 hozzászólás

A komment írásához előbb jelentkezz be!
axe
axe
2022. nov. 7. 14:35
#1

ha hatákonyabban, olcsóbban lehet gyártani, az egyértelműen drágább memóriachipeket jelent

ZoliS
ZoliS
2022. nov. 7. 15:18

@axe  Sajnos igen xD

Vissza az oldal tetejére