A Samsung csapata éppen a 176 cellaréteggel rendelkező V-NAND Flash memórialapkák sorozatgyártásának beindítására készül, amelyek a hetedik generációt képviselik a 2013 óta fejlődő V-NAND Flash lapkák történetében. Akkoriban még csak 24 cellaréteggel rendelkező V-NAND Flash memórialapkák állta rendelkezésre, ám azokkal bőven megelőzte a vállalat a teljes piacot. Mára már a riválisok is 3D NAND Flash lapkákban gondolkodnak, hiszen nem tehetnek mást.
A 176 cellaréteggel rendelkező Samsung V-NAND Flash memórialapkák a vállalat elmondása szerint az iparág legkisebb NAND memóriacelláival büszkélkednek, és a jelek alapján adatátviteli sávszélesség terén is igen ütőképesek, ugyanis 2000 MT/s tempó elérésére képesek, így szupergyors SSD-k készülhetnek velük. A vállalat tervei szerint az új, 176 cellaréteggel ellátott V-NAND Flash memórialapkák segítségével a jövőben PCI Express 4.0-s, illetve PCI Express 5.0-s csatolófelületet használó SSD-k egyaránt piacra kerülhetnek, ám ezekhez már új vezérlőt használnak.
A friss vezérlőről egyelőre nem áll rendelkezésre túl sok információ, csak annyi biztos, hogy arra optimalizálják, hogy nagyobb terhelésformák alkalmával is képesek legyenek hatékony multitaskingot folytatni, azaz egyidejűleg több feladatot is hatékonyan el tudnak végezni.
Utóbbi alapján a 980 Pro leváltója egy igen komoly teljesítményt nyújtó megoldás lesz, ami rendkívül hatékonyan helytállhat a munkaállomásoknál jelentkező terhelésformák alatt – és vélhetően a játékra, illetve munkára egyaránt használt konfigurációkban is jó szolgálatot tesz majd. A 176 cellaréteggel rendelkező V-NAND Flash memórialapkák idővel az adatközpontokba szánt megoldások fedélzetén is helyet kapnak, ahol nagyobb adatátviteli sávszélességet és magasabb adattároló kapacitást nyújthatnak, mint az előző generációs alapokon nyugvó termékek.
Noha egyelőre még csak a 176 cellaréteggel ellátott V-NAND Flash lapkák sorozatgyártásának beindítása folyik, a háttérben már a következő, kilencedik generációs V-NAND Flash memórialapkák fejlesztése is zajlik, sőt, ezekből már mintapéldányok is készültek. Annyit lehet tudni, hogy az újdonságok 200-nál is több cellarétegből állnak majd, ám csak akkor kezdődik meg a sorozatgyártásuk és a piacra történő bevetésük, ha a piaci igények alapján ezt szükségesnek látja a gyártó. J
Egy-egy ilyen V-NAND Flash generáció jellemzően 12-18 hónap után kap utódot, így nagyjából sejthető, mikor jelennek meg a 200-nál is több cellaréteggel ellátott lapkák – leghamarabb is csak valamikor a következő év második felében.
A 200-nál is több cellaréteggel persze még nincs vége a fejlesztésnek, ugyanis a Samsungnál jelenleg úgy látják, akár 1000 cellarétegből álló V-NAND Flash lapkák elkészítésére is lehetőség nyílhat a nem is oly távoli jövőben. Itt persze nem elég csak egymásra pakolgatni az újabbnál újabb cellarétegeket, hiszen a kész chip magassága is fontos szempont, hogy az például a mobilokban is használható legyen. Az egyes rétegeknek egyre vékonyabbaknak kell lenniük, amihez új anyagok és technológiák bevonására van szükség, hogy a töltések tárolása is megbízhatóan történjen – utóbbiakon keresztül oldják meg az adatok tárolását. A Samsung szerint az 1000, illetve annál egy kicsivel több cellaréteg kialakítása kivitelezhető lesz a jövőben.
Ezzel egy időben természetesen a riválisok sem tétlenkednek, az SK Hynix fejlesztőcsapata például már 600-nál is több cellarétegből álló 3D NAND Flash memórialapkák létrehozásán is gondolkodik, igaz, az egyelőre nem derült ki, hogy ezek a fejlesztések pontosan mikor kerülnek kereskedelmi forgalomban is kapható termékekbe.
