Az Elpida mérnökei a HKMG technológiának köszönhetően sikeresen elkészítették a vállalat legújabb memóriachipjét, amely ezúttal nem más, mint egy 2 Gb-es DDR2-es mobil DRAM, vagy ha úgy tetszik, LPDDR2-es memóriachip.
Az Intel processzorokból már 2007 óta ismert eljárással készülő 2 Gb-es újdonság több szempontból is komoly mérföldkőnek számít. A 40 nm-es csíkszélességű termék a HKMG technológia alkalmazásának köszönhetően nem csak gyors, hanem rendkívül energiatakarékos is, így minden tekintetben megfelel a következő generációs mobil eszközök által támasztott igényeknek. A HKMG technológia alkalmazásával a tranzisztor kapu dielektrikumának vastagsága 30%-kal csökkenthető a hagyományos, szilícium-oxid alapú dielektrikuméhoz képest. További előny, hogy a tranzisztoron bekapcsolt állapotban 1,7-szer több áram folyhat, ami növeli a tranzisztor teljesítményét, míg kikapcsolt állapotban a szivárgási áram a szilícium-oxid technológiával elérhető érték kevesebb, mint egy századára csökkenthető.
Ez utóbbinak köszönhetően a DDR2-es mobil DRAM készenléti állapotban a korábbinál jelentősen alacsonyabb fogyasztást produkál. Korábban több félvezető gyártó is próbálkozott a HKMG technológia alkalmazásával, de a melegedés, és a DRAM chipek bonyolult strukturális felépítése miatt szélesebb körben eddig nem alkalmazták az eljárást. Az Elpida mérnökei az említett problémákra találtak megoldást, így lehetővé vált a HKMG technológia alkalmazása.
Az új memóriachip első mintapéldányainak gyártását rövidesen megkezdik, de hogy pontosan mikor, azzal kapcsolatban egyelőre nem állnak rendelkezésre információk. A gyártó tervei szerint a mintapéldányok szállítása a 2011-es pénzügyi negyedév folyamán indulhat meg, majd nem sokkal ezután a termékek sorozatgyártását is beindítják.
