A Samsung szállítja a piac első eMRAM lapkáját

A technológiának sok előnye van a mostani megoldásokkal szemben.

A Samsung szállítja a piac első eMRAM lapkáját

A Samsung megkezdte az iparág első eMRAM, vagyis beágyazott Magneto-Resistive Random Access Memory lapkájának tömegtermelését, illetve szállítását, ami komoly mérföldkőnek tekinthető, hiszen az új termék rengeteg téren hoz előrelépést az eFlash alapú megoldásokhoz képest.

Mielőtt azonban kitérnénk ezekre, feltétlenül érdemes tisztázni, hogy mi is az az MRAM. Gyakorlatilag egy olyan megoldásról van szó, amelynél egy cellát két darab ferromágneses filmréteg alkot, köztük pedig egy vékony elválasztóréteg foglal helyet (barrier). Az egyik cellaréteg esetében a mágnesesség polaritása állandó, míg a másiknálaz átfolyó áram segítségével lehet polaritást változtatni, így „0” vagy „1” értéket vehet fel a cella – az aktuális állapotot ellenállás-méréssel ellenőrzik.

Galéria megnyitása

A Samsung aktuális eMRAM típusú megoldása elsősorban különböző vezérlőchipek fedélzetén kap majd helyet, hogy aztán az IoT, az AI, illetve egyéb területeken tűnhessen fel. Ezeken a területeken azért is lehet vonzóbb az eMRAM, mint az eFlash, mert előbbinél írás előtt nincs szükség törlési ciklusra, ami a Samsung szerint nagyjából 1000-szer gyorsabb írási tempót tesz lehetővé. Az eMRAM ezzel együtt szinte végtelenül terhelhető – azért csak szinte, mert valahol azért biztosan meg kell húzni a terhelhetőség határát, ám ez annyira magas, hogy nem igazán kell vele foglalkozni. Nagy előny, hogy az eMRAM a tápfeszültség elvesztése esetén is meg tudja őrizni tartalmát, míg az eFlash-nél ez azonnali adatvesztést okoz. Az eMRAM összességében alacsonyabb feszültséggel működik, így írás alkalmával csak a négyszázad részét használja fel annak az energiának, ami egy eFlash alapú megoldás írásához szükséges, legalábbis a Samsung ezt állítja saját megoldásáról.

Galéria megnyitása

Az eMRAM és az MRAM tehát számos kedvező tulajdonsággal rendelkezik, de egy apró probléma azért még van vele: a jelenlegi DRAM, 3D Xpoint, és NAND Flash lapkákhoz képest nagyon kicsi az adatsűrűsége és így az elérhető kapacitás is, így egyelőre nagyon behatárolt az a terület, ahol sikerrel lehet alkalmazni. A Samsung megoldása éppen ezért a különböző vezérlőkben kap helyet, ahol a 28 nm-es FD-SOI technológiával készülő lapkát a fejlettebb, FinFET és FD-SOI gyártástechnológiát használó chipekhez is társítani lehet, és mindössze három plusz maszkolást kell elvégezni.

A Samsung egyelőre nem beszélt arról, hogy az új lapka pontosan mekkora adattároló kapacitással bír, de abból kiindulva, hogy később, néhány hónap múlva egy 1 Gb-es lapka is eléri az úgynevezett „tape-out” fázist, vagyis kézzel fogható termékké válik, erősen valószínű, hogy 1 Gb-nél kisebb ez a kapacitás. A Samsung később azt is tervezi, hogy 18 nm FD-SOI gyártástechnológiával is készít eMRAM lapkákat, valamint a FinFET alapú megoldások és érkezni fognak.

Neked ajánljuk

Kiemelt
-{{ product.discountDiff|formatPriceWithCode }}
{{ discountPercent(product) }}
Új
Teszteltük
{{ product.commentCount }}
{{ voucherAdditionalProduct.originalPrice|formatPrice }} Ft
Ajándékutalvány
0% THM
{{ product.displayName }}
nem elérhető
{{ product.originalPrice|formatPriceWithCode }}
{{ product.grossPrice|formatPriceWithCode }}
{{ product.grossPrice|formatPriceWithCode }}
{{ product.displayName }}

Tesztek

{{ i }}
{{ totalTranslation }}
Sorrend

Szólj hozzá!

A komment írásához előbb jelentkezz be!
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mondd el, mit gondolsz a cikkről.

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward