Kínának elég fontos lett az utóbbi időben, hogy házon belül tudjon előállítani különböző félvezetőipari termékeket, amelyekre a hazai gazdaságnak nagy szüksége van, így egyebek mellett a DRAM és a NAND Flash lapkák fejlesztése is gőzerővel folyik, a munkának pedig már bőven vannak részeredményei. Ezúttal a DRAM piaci törekvésekről érkezett némi információ, amely alapján úgy tűnik, már meg is indult a DRAM lapkákat tartalmazó szilícium ostyák szállítása.

Az első ezen a téren egy 2016-ban alapított startup lett, amely anno még „Innotron Memory” név alatt kezdte meg a munkát, mára azonban ChangXin Memory Technologies néven tartják számon. Ez a vállalat a legfrissebb bejelentés szerint megkezdte az országon belülre szánt DRAM chipek gyártását.

Jelenleg még csak 20 000 szilícium ostya készül havi szinten, amelyeknél 10 nm-es osztályú gyártástechnológiát használnak – utóbbi kifejezés jó eséllyel 17, 18 vagy 19 nm-es konkrét csíkszélességet takarhat. Az első memóriachipek LPDDR4 és DDR4 szabványúak, kapacitásuk pedig 8 Gb.

A fejlődés persze nem áll meg: a ChangXin vezetése most úgy látja, a következő év második negyedévében sikerül majd megduplázni a termelést, így havi szinten már 40 000 szilícium ostya hagyhatja el az üzemet, ugyanis addigra beüzemelik a többi gyártósort is. A Fab 1 mellett további két üzemet is csatasorba állíthat a vállalat, így a termelés még magasabb szintre emelkedhet a nem is oly távoli jövőben. A ChangXin tervei szerint a DRAM gyártásnál a Stacked Transistor dizájn mellett teszik le a voksukat, ami a manapság néhány gyártónál alkalmazott Trench Transistor dizájnhoz képest kisebb sűrűséggel kecsegtet, viszont kevésbé komplex a gyártása.