A Samsung újabb mérföldkőhöz érkezett a memóriachipek piacán, ugyanis a gyártó bejelentette, megkezdődött a 20 nm-es gyártástechnológiával készülő 6 Gb-es LPDDR3-as memóriachipek sorozatgyártása, ami a mobileszközök szemszögéből nézve rendkívül jó hír. Az új memóriachip segít az akkumulátoros üzemidő kitolásában, de emellett az alkalmazások betöltődésének idejét is csökkenti a nagy képátlójú, nagy felbontás mellett üzemelő eszközök esetében.
A 6 Gb-es LPDDR3-as memóriachip akár 2133 MHz-es effektív órajelen is üzemelhet, azaz nem lesz lassú. Segítségével 3 GB-os LPDDR3-as memóriachipeket készíthet a gyártó – ezekben négy darab 6 Gb-es LPDDR3-as memórialapka helyezkedik el. A legújabb 3 GB-os LPDDR3-as memóriachipek sokféle mobileszközben hatékonyan használhatóak, hála kedvező tulajdonságaiknak.
A 3 GB-os LPDDR3-as memóriachipek több, mint 20%-kal kisebbek és 10%-kal kevesebb energiát fogyasztanak, mint előző generációs, ugyancsak 4 darab 6 Gbp-es lapkát tartalmazó 3 GB-os társaik, amelyek még kevésbé fejlett gyártástechnológiával készültek. Így végeredményként olyan mobil memóriachip jöhetett létre, amely ultra kicsi, hihetetlenül vékony, villámgyors és jelentősen energiahatékonyabb, mint elődje.
Érdekesség, hogy a Samsung a 20 nm-es gyártástechnológiát először idén márciusban vetette be 4 Gb-es DDR3-as memórialapkák készítésére, méghozzá a piacon elsőként, most pedig a mobil memóriák szegmensében is kamatoztatja az új gyártástechnológiát.
A 6 Gb-es LPDDR3-as memórialapkákkal ellátott 3 GB-os LPDDR3-as memóriachipek rövidesen feltűnhetnek a különböző mobileszközökben. Ilyen memóriachipek főként a felsőkategóriás okostelefonokban és táblákban, illetve a viselhető eszközökben kaphatnak helyet.
