A Samsung ma bejelentette, hogy megkezdődött az ipar legfejlettebb 4 Gb-es DDR3-as memóriachipjének sorozatgyártása, amely 25 nm-es helyett immár 20 nm-es gyártástechnológiával készül. A fejlett gyártástechnológia mellett egyéb trükköket is bevetettek a gyártásnál, amik a későbbiekben a 10 nm-es osztályú DDR3-as memóriachipek esetében is rendkívül jól jöhetnek.
A DRAM típusú memóriachipek esetében fontos tulajdonság, hogy celláik egy kondenzátorból és egy tranzisztorból állnak, amelyek egymáshoz vannak kapcsolva, így skálázásuk jóval nehezebb, mint a NAND Flash memóriachipeké, amelyeknél egy-egy cella kialakításához csak tranzisztorok felhasználására van szükség. Annak érdekében, hogy a gyártástechnológia-váltás a DRAM memóriachipeknél is zökkenőmentesen folytatható legyen, a Samsung mérnökei finomítottak a gyártással kapcsolatos eljárásokon. Ennek eredményeként az új, illetve a jövőben készülő DRAM chipeknél is módosított dupla mintázást (Double Patterning) és atomi rétegleválasztást használnak (ALD).
A Samsung módosított dupla mintázási technológiája igen komoly mérföldkőnek tekinthető, ugyanis lehetővé teszi a DDR3-as memóriachipek 20 nm-es csíkszélességgel történő gyártását, méghozzá úgy, hogy a korábban alkalmazott fotolitográfiai eszközök továbbra is használhatóak maradnak, sőt, az újítás később a 10 nm-es osztályú gyártástechnológia alkalmazását is lehetővé teszi majd. A gyártó minden eddiginél egységesebb ultravékony dielektromos cellakondenzátor-rétegek segítségével azt is elérte, hogy a cellateljesítmény a korábbinál magasabb lehessen.
A fenti újításokat alkalmazó, 20 nm-es csíkszélességgel készülő DDR3-as memóriachipek esetében a termelőképesség is javult, így az 30%-kal magasabb lett, mint a 25 nm-es csíkszélességgel készülő DDR3-as memóriachipeké, a 30 nm-es osztályú gyártástechnológiát alkalmazó DDR3-as memóriachipekéhez képest pedig több, mint duplájára nőtt.
További jó hír, hogy az új, 20 nm-es csíkszélességgel készülő 4 Gb-es DDR3-as memóriachipek akár 25%-kal alacsonyabb fogyasztás elérésére is képesek 25 nm-es csíkszélességgel készülő társaikhoz képest, ami abszolút nem elhanyagolható előny – különösen mobil fronton.
Az új memóriachipek a PC piacon, illetve a mobileszközök piacán is hamarosan feltűnhetnek.
