A TSMC háza táján igen komoly sebességgel zajlanak a fejlesztések, így nem is igazán csoda, hogy a világ egyik legnagyobb félvezető-bérgyártója óriási mennyiségű rendeléseket kap az iparág legnagyobb szereplőitől. Annak érdekében, hogy ez hosszabb távon is így maradjon, természetesen folyamatos tőkeberuházásra, illetve a kutatás-fejlesztés folyamatos támogatására is szükség van, ezáltal az újabb csíkszélességek gyártása is lehetővé válik.
Noha jelenleg a 7 nm-es gyártástechnológiát használja a vállalat szélesebb körben, valamint már az 5 nm-es csíkszélességgel is megkezdték a tömegtermelést, a távolabbi tervek között a 2 nm-es és az 1 nm-es gyártástechnológia is feltűnt. A hírek szerint a TSMC nemrégiben kezdte meg a 2 nm-es gyártófelszerelést fogadó üzem építését, de ezzel egy időben egy kutatással és fejlesztéssel foglalkozó központ is épül, amelyek mindketten a TSMC központjához közel, a tajvani Hsinchu Science Park területén kapnak helyet.
Érdekesség, hogy a 2 nm-es node esetében már új, Gate-All-Around technológiát használhat majd a tajvani gyártó, amiről korábban már pletykáltak. További érdekesség, hogy az 1 nm-es csíkszélességgel kapcsolatos fejlesztések szintén megindultak, ám ezekkel kapcsolatban bővebb információ egyelőre még nem áll rendelkezésre.
A TSMC persze nem csak a csíkszélesség fejlesztésén munkálkodik, hanem fejlett tokozási technológiákon is, amelyek között megtaláljuk a SoIV, az InFO, a CoWoS, és a WoW technológiákat, amelyeket 3D Fabric gyűjtőnévvel emleget a vállalat, noha egyes megoldások lényegében „csak” 2.5D típusú megoldások. Az összes új technológiát használni fogják 2021 második felében a ZhuNan és a NanKe üzemekben, segítségükkel jelentősen növekedhet a vállalat profitja. Ezzel egy időben a Samsung is saját 3D tokozási technológia bevezetésén munkálkodik, ami az X-Cube nevet viseli, ám ezt a hírek szerint eléggé lassan kezdi alkalmazni a partnerek, aminek nagyrészt az az oka, hogy költséges technológiáról van szó.
