136 cellaréteggel érkeznek a 6. generációs Samsung V-NAND lapkák

Az új lapka segítségével később a 300 cellaréteg feletti tartományt is célba veheti a gyártó, így igen komoly adatsűrűséget érhet el.

136 cellaréteggel érkeznek a 6. generációs Samsung V-NAND lapkák

A Samsung bejelentette legfrissebb V-NAND lapkáit, amelyek már 100-nál is több cellaréteget alkalmaznak, de egyéb területen is előrelépést hoznak előző generációs társaikhoz képest. A 6. generációs V-NAND lapkák összesen 136 cellarétegből állnak, amelyek CTF (Charge Trap Flash, azaz töltéscsaptás Flash) alapú cellákra támaszkodnak. Ez a 136 cellaréteg egyetlen lapkaszendvicsként készül, vagyis nem különböző lapkák egymásra építésével jön létre – később azonban majd használni fogják utóbbi lehetőséget is, de ne szaladjunk ennyire előre.

A 136 cellaréteggel rendelkező lapka elsőként 256 Gb-es kapacitású, 3D TLC NAND Flash típusú megoldás formájában lesz elérhető. Annak érdekében, hogy a rengeteg cellaréteget hatékonyan munkára lehessen fogni, új áramkördizájnt vetettek be a tervezők, amit sebességre optimalizáltak. Ennek köszönhetően a lapka írási késleltetése 450 mikroszekundum alatt helyezkedik el, míg az olvasási késleltetés 45 mikroszekundum alá csökkent, vagyis az ötödik generációs V-NAND lapkákhoz képest 10%-kal gyorsabb lett az újdonság. És a gyorsulás mellé alacsonyabb energiafelhasználás is társul, azaz a friss lapkák kevesebbet fogyasztanak, mint az 5. generáció képviselői.

Fontos kiemelni azt is, hogy a 136 cellarétegből álló 256 Gb-es 3D TLC NAND Flash lapka esetében 930 millió helyett már csak 670 millió lyukat használnak, ami igen komoly előrelépés, így a lapkák gyártása is kevesebb lépésből áll, ami csökkenti az előállítási költségeket is.

A V-NAND generációk fejlődése:

  • 2013 július: Első generációs (24-rétegű) 128Gb MLC V-NAND
  • 2013 augusztus: Első generációs 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD
  • 2014 augusztus: Második generációs (32-rétegű) 128Gb 3-bit V-NAND
  • 2014 szeptember: Második generációs V-NAND SSD
  • 2015 augusztus: Harmadik generációs (48-rétegű) 256Gb 3-bit V-NAND
  • 2015 szeptember: Harmadik generációs V-NAND SSD '850 EVO', '950 PRO'
  • 2016 december: Negyedik generációs (64-rétegű) 256Gb 3-bit V-NAND
  • 2017 január: Negyedik generációs V-NAND SSD
  • 2018 január: Negyedik generációs 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD
  • 2018 május: Ötödik generációs (9x-rétegű) 256Gb 3-bit V-NAND
  • 2018 június: Ötödik generációs V-NAND SSD
  • 2019 június: Hatodik generációs (1xx-rétegű) 256Gb 3-bit V-NAND
  • 2019 július: Hatodik generációs V-NAND SSD

Az új lapkát első körben csak a 250 GB-os SSD-k fedélzetén használja majd a gyártó, de később egy 512 Gb-es lapka is érkezik, ami a többi meghajtón kap szerepet, valamint eUFS típusú adattároló részeként is bevetik. A Samsung tervei szerint a 136 cellarétegből álló lapkát később olyan megoldásokhoz is felhasználják, amelyek 300-nál több cellaréteget kínálnak, ezt pedig úgy valósítják meg, hogy három darab 136 cellarétegből álló lapkát egymásra helyeznek. Ez természetesen a végső chip adattároló kapacitását is háromszorosára emeli, így akár 768 és 1536 Gb-es lapkák is készülhetnek, ami igen komoly előrelépés lesz adatsűrűség terén.

A Samsung a 136 cellarétegből álló 6. generációs V-NAND lapkák mellé egy új vezérlőt is készített, ami az S4LR030/S94G4MW2 típusjelzést viseli.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ totalTranslation }}
Sorrend

Szólj hozzá!

A komment írásához előbb jelentkezz be!
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mondd el, mit gondolsz a cikkről.

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward