A ReRAM kifejezést az elmúlt évek során már többször is hallhattuk, a mögötte húzódó technológia azonban egyelőre még nem tűnt fel kereskedelmi forgalomba szánt adattárolókban, ugyanis a vonzó tulajdonságokhoz jelenleg eléggé borsos ár társul, már ami a gyártási költségeket illeti.
A helyzet azonban hamarosan változhat, ugyanis a Crossbar együttműködésbe lépett a Mobiveillel annak érdekében, hogy a Crossbar ReRAM technológiája rövidesen SSD formátumú adattárolók formájában is elérhető legyen. Hogy ez miért jó hír? Azért, mert a ReRAM egy nem-illékony típusú memória, ami a két elektróda közé rétegezett anyag ellenállás-változásai segítségével tárolja el a biteket. Az olvasás és az írás nagyon gyorsan, 10 mikroszekundum alatti válaszidő mellett történik, a cellák pedig kellően strapabíróak, hiszen élettartamuk alatt akár 1 millió írási ciklust is elviselnek. A ReRAM programozása gyorsan, alacsony feszültség mellett történik, a technológia köré épülő cellák pedig strapabíróak is. A Crossbar szerint az aktuális lapkáknál meglehetősen széles, -40 és +125 Celsius fok közötti üzemi tartományra, egymilliónál is több írási ciklusra elviselésére, illetve 10 évnyi megbízható adatmegtartásra lehet számítani, ha 85 Celsius fokos hőmérsékletet veszünk alapul. A ReRAM tehát a NAND Flash adatmegtartó képességét, valamint a DRAM alacsony elérési idejét és sebességét ötvözi. A ReRAM esetében a NAND Flash lapkákkal ellentétben törlési ciklusra sincs szükség, az adatsűrűség pedig kétszer nagyobb lehet, mint a 3D NAND Flash-é.
Noha a fentiek alapján úgy gondolhatnánk, ez a technológia rövid időn belül forradalmasítani fogja az SSD piacot, a valóság kicsit más. A ReRAM ígéretes, viszont költséges is: a technológia háromdimenziósan skálázható, termelése szabványos CMOS üzemekben is végezhető, az előállítási költségek azonban így is nagyságrendekkel magasabbak, mint a jelenleg tömegtermelésben lévő 3D NAND Flash lapkáké. Bizonyos területeken azonban így is érdemes lehet majd bevetni a technológiát, ahol az általa kínált előnyöket képesek és hajlandóak is megfizetni a vásárlók.
A felek jelenleg arra törekszenek, hogy szabványos adatkapcsolatokon keresztül biztosítsák a ReRAM előnyeit, azaz a Mobiveil PCIe és DDR3/4 vezérlői végezhetik a feladat oroszlánrészét, hiszen ezek képesek megfelelően kezelni a Crossbar ReRAM architektúráját, amelyen keresztül másodpercenként 6,4 millió 512 bájtos véletlenszerű írási vagy olvasási művelet végezhető, méghozzá 10 mikroszekundum alatti időzítés mellett. Ebben a teljesítményosztályban már egyébként az NVMe protokoll a szűk keresztmetszet, ami a késleltetés növekedését és az IOPS teljesítmény limitjét okozza.
A ReRAM alkalmazásával az óriási sebesség mellett további előny lehet, hogy a vezérlőchip komplexitását és korlátait mérsékelni lehet, hiszen a technológia jellegéből adódóan elhagyhatóak a háttérben folyó memória-hozzáférések, amelyek a hulladékgyűjtő algoritmus működéséhez kellenek, valamint nagy blokkméretű memóriatömbökre sincs szükség – nem úgy, mint a Flash alapú megoldásoknál.
Az új adattárolók az Intel Optane sorozatú termékei ellen indulhatnak majd harcba, a megcélzott piaci réteg pedig meglehetősen szűk lesz. A 3D NAND Flash alapú adattároló rendszerekre nem jelentenek veszélyt a ReRAM alapú SSD-k, hiszen teljesen más ligában játszanak majd mind ár, mind pedig teljesítmény terén – abszolút csúcskategóriás megoldásokról van szó.
