A Micron egy új generációs NAND Flash memóriachip piacra dobására készül, ami több területen is jókora előrelépést hoz. A G11 chip egyrészt segít megduplázni az adatsűrűséget a jelenlegi modellhez képest, másrészt pedig 50%-kal magasabb I/O teljesítményt is kínál, harmadrészt pedig segít a fogyasztás csökkentésében is.
Az új chip a kínai YMTC által kifejlesztett XStacking 4.0 technológia szerint készül, vagyis két szilíciumlapkát egyesít a hybrid-bonding technológia segítségével, ami lehetővé teszi, hogy a két lapka a fém érintkezőpogácsákon keresztül véglegesen egyesüljön. Ez jelentős előrelépés a korábbi technológiákhoz képest, hiszen azoknál a cellarétegek számát növelték, ezúttal viszont nemcsak a „Z” tengelyen, azaz felfelé terjeszkedik a chip, hanem az „X” és az „Y” tengely mentén is, azaz oldalirányban.
A Micron koncepciója az, hogy a klasszikus NAND Flash lapka különböző részeit különböző szilícium-lapkákra osztják, majd ezeket a Hybrid-Bonding segítségével egyesítik. Itt lényegében a memóriacellák és a periférián elhelyezkedő logikai komponensek egymástól függetlenül optimalizálhatóak, ami nagyfokú rugalmasságot ad, ezzel egy időben pedig mind a teljesítmény, mind pedig az adattároló kapacitás növelését lehetővé teszi.
Az új technológia révén a G11-es fejlesztés esetében akár 400-nál is több cellaréteget is tartalmazhat egy-egy új NAND Flash memóriachip. A Micron pontos számot nem osztott meg, csak annyi biztos, hogy a részletes paramétereket majd csak valamikor később, 2027 folyamán árulják el, a nagy volumenben történő termelést pedig a következő év második felében indíthatják meg.
Arra azért vény derült, hogy az új fejlesztés létrehozásához áttörésre volt szükség nagy magas mobilitású anyagok fejlesztése terén, ezzel egy időben pedig ultrasűrű celllastruktúrákat is létre kellett hozni, valamint javítani kellett az adatsávok és a különböző komponensek energiahatékonyságán is. A G11-es lapka a G9-nél elérhető 21 Gb/mm²-es adatsűrűséghez képest duplázni fog, azaz 42 Gb/mm²-es adatsűrűséget kínálhat, valamint az I/O teljesítmény is jelentősen emelkedni fog, így a 3600 MT/s-os tempóból 5400 MT/s-os sebesség lesz. Az energiahatékonyság is jelentősen javul majd, ott egy-egy bit továbbításának energiaigénye 25%-kal alacsonyabb lehet majd, mint az aktuális generációnál.
Az, hogy az új memóriachipekkel felszerelt SSD-k mekkora adatátviteli sávszélességet kínálnak majd, nagyban függ attól, milyen SSD vezérlő kerül melléjük, valamint az is meghatározó lesz, hány NAND Flash csatornát használhat az adott dizájn. Ezekkel kapcsolatban majd később érkezik részletesebb tájékoztatás, a teljes képet pedig majd az első független tesztek mutatják meg, ahogy az első G11 alapú SSD meghajtók és kártyák elérhetővé válnak.
