Az SK hynix műhelyében már javában készülnek az új generációs 3D NAND Flash memóriachipek, amelyek az iparági információk alapján legalább 400 cellarétegből állnak majd. A vállalat tervei szerint a termékek gyártását már a következő év vége előtt megkezdhetik, legalábbis a dél-koreai média így értesült. A 400, illetve ennél is több cellarétegből álló 3D NAND Flash memóriachipek gyártásához a Hybrid Bonding technológiát használják, amihez szükség lesz új anyagokra a tokozás kialakításánál, de ezzel együtt a szilícium ostyák előállításához is új anyagokra, eszközökre, illetve technológiákra van szükség a siker érdekében. A megfelelő infrastruktúra a tervek szerint már a következő év vége előtt rendelkezésre állhat, így a gyártás is megindulhat még 2025 folyamán.
Az egyes NAND Flash gyártók gőzerővel dolgoznak azon, hogy növeljék a cellarétegek számát, ez ugyanis segít az adatsűrűség növelésében, illetve a teljesítményt is javítja, valamint a gyártási költségek alakulására is jótékonyan hathat, ami nemcsak az SSD-k, hanem a NAND Flash memóriachipeket alkalmazó egyéb termékek esetében is pozitívum lesz. A cellarétegek számának növelése persze nem egy egyszerű feladat. A jelenleg is alkalmazott PUC (Peripheral Under Cell) technológia esetében például fennáll a veszélye annak, hogy a cellarétegek számának fokozásával, a rétegek egymásra helyezésekor megsérülhetnek a cellatömb alatt elhelyezkedő kiszolgáló elektronika komponensei, ugyanis a folyamat elvégzéséhez magas nyomásra és magas hőmérsékletre van szükség.
Pont ezért váltanak a mérnökök a Hybrid Bonding technológiára, ami segít a kihívások leküzdésében. A gyártó szerint azzal, ha a cellarétegeket tartalmazó lapkák és a vezérlésüket végző kiegészítő áramköröket tartalmazó lapkák külön szilícium-ostya fedélzetén kapnak helyet, stabilabban lehet növelni a cellarétegek számát, közben pedig nem kell tartani attól, hogy a kiszolgáló komponensek sérülnek. A két szilíciumostya-lapkát később, egymáshoz lehet kapcsolni a Hybrid Bonding technológia keretén belül, méghozzá biztonságosan.
Az SK hynix csapata mellett természetesen a riválisok is azon dolgoznak, hogy növeljék a rendelkezésre álló cellarétegek számát. A Samsung most éppen 290 cellarétegből álló NAND Flash memóriachipeket gyárt, szakemberei szerint 2030-ra pedig az 1000 cellaréteges határt is sikerülhet túlszárnyalni. A Micronnál sem tétlenkednek, júliusban mutatták be 276 cellarétegből álló fejlesztésüket. A Kioxia közben 218 cellarétegnél tart, a lapkát 2023 folyamán mutatták be, 2027-re pedig szerintük már elérhető lesz akár az 1000 cellaréteges szint is.
Az Sk hynix csapata egyelőre nem árult el semmilyen konkrétumot a 400 cellarétegből álló 3D NAND Flash memóriachipekkel kapcsolatban, így nem tudható, ezek pontosan milyen tulajdonságokkal rendelkeznek majd, valamint az sem világos, hogy 2025 végén még csak a kísérleti termelést indítják-e el, vagy már a tömegtermelést is.






























