A Samsung és Dél-Korea legjelentősebb kutatóegyeteme, a KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) között nemrégiben szabadalmi per indult, amelynek keretén belül az egyetem amerikai székhelyű részlege, a KAIST IP azzal vádolja a Samsungot, hogy az egyetem egyik FinFET szabadalmát jogszerűtlenül használta fel.
A különböző chipek gyártásához szükséges FinFET egy tranzisztortípust jelöl, ami segít a teljesítmény növelésében, a fogyasztás csökkentésében, illetve a lapkaméret csökkentésében is, így nagy jelentőséggel bír. A Samsung szerint anno együttműködés folyt az egyetem és a vállalat szakemberei között a technológia fejlesztése során, szabadalomsértésről pedig abszolút nincs szó – a Samsung ugyanakkor a szabadalom hitelességét is megkérdőjelezte. További érdekesség, hogy a vállalat korábban elutasítóan viszonyult a KAIST által elvégzett FinFET kutatásokhoz, mert azokban nem igazán látott lehetőséget – egyszerű hóbortnak tartotta az egészet. Ez a hozzáállás azonban megváltozott, ahogy a rivális Intel érdeklődni kezdett a fejlesztés után, majd licencelni is kezdte saját processzorainak fejlesztéséhez – állítja a KAIST IP.
A szabadalmi per a Texas államban található Marshall szövetségi bíróságán zajlik, ami kedvező terep az efféle pereknek – éppen ezért választotta ezt a bíróságot a KAIST IP, holott székhelye eredetileg Dallasban van. A per aktuális állapota szerint a Samsungnak 400 millió dollárt kell fizetnie a KAIST IP részére, mivel szabadalomsértést követett el. A helyzetet bonyolítja, hogy az ügy kapcsán a szándékosság gyanúja is felmerült, amit ha sikerül bizonyítani, a fentebb említett bírságot akár háromszorosára is emelhetik.
