30 nanométeres osztályú technika alkalmazásával kifejlesztette a világ első 64 Gigabites, többszintű cellás (MLC - multi level cell) NAND flash memória chipjét a Samsung. Legfeljebb tizenhat ilyen flash eszköz egyesítésével már megalkotható egy olyan, 128 Gigabyte-os memóriakártya is, amely akár 80 DVD-felbontású filmet, vagy 32.000 MP3-fájlt is képes eltárolni.
Ennek az áttörésnek köszönhetően az idei már sorban a nyolcadik év, amikor a fejlődés újfent megduplázta a memória sűrűségét, a 100 nanométeres, 1 Gb-es NAND 2001-es kifejlesztése óta pedig már a hetedik olyan év, amikor még tovább sikerült csökkenteni a nanométeres léptéket.
Ez a fejlesztés egy új gyártási folyamatnak, az ún. önrendező, kettős mintázatú technológiának (SaDPT - self-aligned double patterning technology) köszönhető. Ez a flash memória egy újabb hatalmas ugrást jelent a minél nagyobb sűrűségű, flash alapú tárolási megoldások felé - ez pedig nagyon is aktuális, mivel világszerte egyre inkább a flash válik a mindenek felett preferált, fő adattárolási metódussá. A Samsung számításai szerint a 30nm-es osztályú, 64Gb-es flash eszközök gyártását 2009-ben tudják megkezdeni.
