A kínai memóriagyártás hatalmas tempóban fejlődik, akár a NAND Flash szegmensben tevékenykedő YMTC, akár a DRAM szegmensben érvényesülni próbáló CXMT eredményeit nézzük. Előbbi nemrégiben azzal került a hírek célkeresztjébe, hogy fellépett a dobogóra piaci részesedés terén, így már a harmadik legnagyobb DRAM gyártónak tekinthető, közvetlenül az SK hynix és a piacvezető Samsung mögött, igaz, a YMTC árbevétel terén már csak az ötödik helyet foglalja el, mert főként a fogyasztói piacra fókuszál termékeivel, nem a nagyobb profittal kecsegtető üzleti szegmensre. Ezzel egy időben a CXMT sem tétlenkedik, mérnökei folyamatosan dolgoznak a memóriagyártás és a memóriatechnológiák fejlesztésén, aminek meg is van az eredménye.
A CXMT fogyasztói piacon, azon belül is a gamereknek szánt memóriamodulok szegmensében éppen most ért el egy rendkívül figyelemre méltó eredményt. A legfrissebb fejlesztésükkel az AMD RYZEN 9000-es processzorból és X870E lapkakészlettel szerelt alaplapból álló platform használata mellett sikerült elérniük, illetve picivel meg is haladták a 9000 MT/s sebességszintet, ami elég komoly fegyvertény, hiszen még csak tavaly év végén jelentették be, hogy legújabb DDR5-ös memóriachipjeikkel már elérhető a DDR5-8000 MT/s-os szint. Azóta sok víz lefolyt a Dunán, a vállalat kihozatali arány terén nagyot lépett előre, ezzel párhuzamosan a memóriachipek minősége és tuningpotenciálja is javult, így sikerült elérni a 9000 MT/s-os álomhatárt.
A teszt alkalmával egy Colorful iGame X870E Vulcan W OC alaplapot használtak, amihez egy iGame Shadow II memóriacsomag társult, méghozzá 2 x 24 GB-os kiszerelésben. A szóban forgó alaplapban egy RYZEN 7 9000 sorozatú processzor mellett egészen 4507 MHz-es órajelig sikerült eljutni, ami 9014 MT/s-os szintet jelent, hála a DDR technológia sajátosságainak.
A Colorful iGame Shadow II 24Gx2 memóriacsomagokat a vállalat az ASUS alaplapjaival is teszteli és optimalizálja a működésüket, különös tekintettel a késleltetés csökkentésére. A részeredmények alapján ezen a téren is sikerül elérni a három nagy memóriagyártó szintjét. A tesztek alapján a szóban forgó DDR5-ös memóriacsomagok 6000 MT/s-os sebesség mellett képesek CL30-as időzítés elérésére, illetve már a CL28-as időzítést elérését célzó előzetes tesztek is zajlanak.
A CXMT aktuális DDR5-ös memóriachipjei, amelyek 17 nm-es osztályú gyártástechnológiával készülnek, 90% körüli, illetve picivel talán 90% feletti kihozatali aránnyal készülnek, vagyis ezen a téren csak 2-3%-kal lehetnek lemaradva a Samsung 10 nm-es osztályú csíkszélességeinél tapasztalható kihozatali aránytól, ami jellemzően 92-93% körüli szinten helyezkedik el. Úgy tűnik, gyártástechnológia és kihozatali arány terén a kínai CXMT éppúgy kezd felnőni a három nagy memóriagyártóhoz, mint sebesség és késleltetés terén, ami azt mutatja, egyelőre jó az irány és a fejlesztők áldozatos munkája is kellően gyümölcsözőnek bizonyul.
Az, hogy a memóriachipek tuningpotenciálja, szivárgási árama, illetve egyéb paraméterei terén pontosan mekkora a szórás, majd később derül ki, de az előzetes információk alapján ezeken a területeken lesz még tennivalójuk a vállalat mérnökeinek.
