A Samsung a napokban egy érdekes rendezvényt tartott meg, amelynek keretén belül szó esett a vállalat memóriapiaci terveiről. A Tech Day 2021 alkalmával sajnos nem lehetett fotózni, valamint az ott megjelenő diák egyikét sem adták ki, hogy később meg lehessen osztani őket, így konkrét képek ezúttal nem állnak rendelkezésre, információból azonban nincs hiány. Szó esett a DDR6-ról, a GDDR6+-ról, illetve a HBM3-ról is – az alábbiakban összegezzük, mi mindent lehet és érdemes tudni az új technológiákról, hála a Computerbase.de beszámolójának.

Mielőtt azonban az érkező technológiákkal foglalkoznánk, érdemes még megemlíteni, mik a tervek DDR5 fronton. A JEDEC szabvány alapján a DDR5-ös memóriamodulok DDR5-6400 MHz-es órajelig skálázódnak majd, ám a tuningosoknak szánt példányok között DDR5-8400 MHz-es modellek is lesznek. A fejlesztések még zajlanak, így konkrét termékek bejelentésére majd csak később kerülhet sor, de az biztosnak tűnik, hogy az eddig bemutatott tuningmemóriákhoz képest érkeznek még jóval gyorsabb példányok is.

DDR fronton maradva a következő lépcső majd a DDR6 lesz, ami több tekintetben is előrelépést hoz. A korai fejlesztési szakaszban lévő szabvánnyal kapcsolatban a leglényegesebb információk már publikusak, így tudható, hogy a DDR5-höz képest itt már nem kettő, hanem négy memóriacsatorna áll rendelkezésre, míg a memóriabankok számát 64-re emelik – utóbbi a DDR5 esetében „csak” 16. A DDR6-os memóriamodulok jókora előrelépést hozhatnak majd mind kapacitás, mind pedig adatátviteli-sávszélesség tekintetében.

Az órajelek kapcsán annyi még elhangzott, hogy a DDR6-os memóriaszabvány 12800 MHz-es effektív órajeltől indul és egészen 17000 MHz-es effektív órajelig tart majd. Természetesen alacsony fogyasztású modellek is készülnek majd DDR6L név alatt, amelyek ugyanúgy elérhetőek lesznek akár 17000 MHz-es effektív órajellel is, cserébe viszont 20%-kal kevesebbet fogyasztanak majd.

A DDR6 után téma volt a GDDR sorozat is, ahol a GDDR6+-ról rántotta le a leplet a vállalat. A GDDR6+ keretén belül akár 24 GHz-es effektív órajel elérésére is lehetőség nyílik, ami igen komoly előrelépés, hiszen a klasszikus GDDDR6-os memórialapkák órajele 18 GHz-nél tetőzik, de a Micron és az Nvidia közösen fejlesztett GDDR6X lapkáiból sincs 21 GHz-nél gyorsabb példány jelenleg.

A GDDR6+ a magasabb órajel miatt hoz gyorsulást, az ennél komolyabb előrelépésre viszont a GDDR7 megjelenéséig kell várni. A Samsung azt egyelőre nem árulta el, az új memóriaszabvány pontosan mikor jelenik meg, annyit viszont elhintettek, hogy akár 32 GHz-es effektív órajel elérésére is lehetőség lesz – ez majdnem kétszer több, mint amit a jelenlegi leggyorsabb GDDR6-os lapkák tudnak (18 GHz). A GDDR7 esetében elérhető lesz egy úgynevezett „Real-Time Error Protection” funkció is, amiről egyelőre nem osztott meg további részleteket a vállalat.

A fentiek mellett egy igazi ínyenc fogásról, a HBM3-ról is szó esett, amelynek fejlesztése a vállalat beszámolója szerint a terveknek megfelelően halad. Utóbbi azt jelenti, hogy a Samsung HBM3-as memórialapkái már 2022 második negyedévében elérhetőek lesznek a piacon. Ezek a lapkaszendvicsek várhatóan 800 GB/s-os memória-sávszélesség elérésére lesznek képesek, elsődleges felhasználási területeik pedig a mesterséges intelligenciával kapcsolatos munkafolyamatok lesznek.

-