MRAM fejlesztésbe kezdett a Hynix és a Toshiba

A Toshiba és a Hynix illetékesei egy közlemény keretén belül jelentették be, hogy a két cég együttműködési megállapodást kötött egymással annak érdekében, hogy erőiket egyesítve, közösen vághassanak bele a következő generációs memória technológia, az MRAM fejlesztésébe.

MRAM fejlesztésbe kezdett a Hynix és a Toshiba

A Toshiba és a Hynix illetékesei egy közlemény keretén belül jelentették be, hogy a két cég együttműködési megállapodást kötött egymással annak érdekében, hogy erőiket egyesítve, közösen vághassanak bele a következő generációs memória technológia, az MRAM fejlesztésébe.

Az MRAM-ról korábban már sokszor hallhattunk, ám eddig kereskedelmi forgalomban nem jelentek meg olyan termékek, amelyek MRAM technológiára alapoznak, pedig korábban már a NEC és a Toshiba között is létrejött egy együttműködés, amelynek célja szintén MRAM technológia köré épülő memóriachipek fejlesztése volt. Az MRAM kifejezés egyébként a Magnetoresistance RAM rövidítése, de a Hynix-Toshiba páros Spin-Tranfer Torque Magnetoresistance RAM-ként emlegeti a fejlesztést. Az MRAM lényege, hogy a DRAM-mal ellentétben a 0 és 1 bit állapot nem egy kondenzátor töltöttségéből olvassák ki, hanem a speciális, mágneses elven működő rétegek egymáshoz képesti polarizációjának vizsgálatával, ami ellenállásmérésen alapul. A korábbi technológiáknál két réteg állt rendelkezésre, amelyek közül az egyik réteg állandó polarizációjú, míg a másik polarizációja áram segítségével megváltoztatható, így a polarizáció változtatásával eltárolható a 0 vagy az 1 bit állapot. A "0" vagy az "1" állapot attól függ, hogy a két réteg azonos, vagy eltérő polarizációval rendelkezik-e.

A korábban ismertetett, a NEC és a Toshiba által alkalmazott MRAM technológia működésének dióhéjban ennyi a lényege. A DRAM technológiával ellentétben ez az eljárás non-volatile, azaz nem "illékony" típusú, vagyis a NAND Flash memóriához hasonlóan alkalmas adattárolásra, mert "nem felejt". A korábbi információk alapján a NAND Flash memóriával szemben az MRAM előnye az is, hogy esetében nincs megszabva írási ciklusmennyiség.

A gyártópáros az MRAM-ban a jövő memóriatechnológiáját látja, így mindkét cég sokat vár a fejlesztésektől. Az együttműködést azzal magyarázták a felek, hogy egy új memóriatechnológia kifejlesztése és a piacra történő bevezetése kockázatos, ám ez a kockázat csökkenthető, ha a cégek megfelelő erőforrásaikat egymás rendelkezésére bocsátják és együttműködnek a fejlesztéssel, majd a gyártással kapcsolatos feladatokban. A kockázat csökkentése mellett ezzel a módszerrel az MRAM elterjedése is felgyorsítható.

Az újítás - amennyiben a fejlesztések véget érnek, és megkezdődik a tömegtermelés is - elsőként a mobil eszközök piacán tűnhet majd fel, így MRAM alapú memóriachipeket okostelefonokban, tábla PC-kben és egyéb olyan készülékekben láthatunk először, amelyeknél kiemelten fontos a nagy sebesség, az energiatakarékos működés, valamint a nagy adatsűrűség és a költséghatékony előállítás.

Rossz hír, hogy egyelőre semmilyen konkrét információt nem osztottak meg a felek azzal kapcsolatban, hogy mikorra várhatóak az első MRAM chipek, illetve mikor kezdheti meg hódító útját a piacon az új technológia, amelyhez hatalmas reményeket fűznek.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward