Hamarosan jönnek a FeDRAM-ok

A DRAM-ok teljesítményének jelentős fokozására, valamint lehetőségeik lényeges kibővítésére talált módot közös munkássága nyomán a Semiconductor Research Corporation (SRC) és a Yale Egyetem.

Hamarosan jönnek a FeDRAM-ok

A DRAM-ok teljesítményének jelentős fokozására, valamint lehetőségeik lényeges kibővítésére talált módot közös munkássága nyomán a Semiconductor Research Corporation (SRC) és a Yale Egyetem.

Sikerült fokozniuk egyebek mellett az egységek skálázhatóságát, még kisebbre zsugorítani az egyes cellákat, tovább csökkenteni a fogyasztást, és legalább ezerszeresére fokozni a megtartási időt. Emellett fennáll a cellánkénti több bit eltárolásának lehetősége is, hasonlóan a flash memóriaegységekhez. Mivel pedig egyben a gyártási folyamat is egyszerűsíthető, így a végtermék is olcsóbb lehet.

Mindezt olyan ferroelektromos rétegek használatával érték el, amelyek feleslegessé tették a hagyományos DRAM-cellákban alkalmazott tárkondenzátorokat. Emiatt az új egységeket Ferroelektromos DRAM-okként (FeDRAM) emlegetik. A FeDRAM-ok cellái hasonlóak a CMOS-tranzisztorokhoz, csak épp dielektromos kapuk helyett ferroelektromosakat használnak.

A kutatók jelenleg a prototípusokon és az áramkör-komponenseken dolgoznak; elmondásuk szerint az új FeDRAM chipek "a nem túl távoli jövőben" már piacra is kerülhetnek.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward