Az Intel régóta dolgozik az MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) technológia fejlesztésén, ami a jelek szerint hamarosan célba ér, hiszen az EETimes beszámolója szerint az új memória-technológia végre készen áll a sorozatgyártásra. Hogy ez miért is jó hír? Azért, mert az MRAM egy nem-illékony típusú megoldás, vagyis ebben a tekintetben a NAND Flash-re hasonlít, sebesége viszont a DRAM szintjét idézi, késleltetése pedig alacsony, még ha nem is éri el a DRAM szintjét.
Az MRAM hosszabb távon tehát mind a DRAM, mind pedig a NAND Flash lapkák helyét átveheti, amennyiben a piac a tapasztalatok alapján rákap a technológiára. Eleinte azonban inkább csak a DRAM lapkákat helyettesítheti, főleg azért, mert energiahatékonyabban működik nála. Az MRAM előnyei közé sorolhatóaz is, hogy a jelek szerint sokkal jobb kihozatali arány mellett gyártható, mint a másik két technológia köré épülő lapkák, valamint az új gyártástechnológiákra is jól skálázódik. Utóbbi a NAND Flash és a DRAM esetében egyre nagyobb kihívásnak ígérkezik, így egy-egy váltás egyre drágább is. Az MRAM adatátviteli sebessége kellően magas, csak úgy, mint a DRAM-é, a NAND Flash-hez képest pedig sokkal több írási/törlési ciklust visel el (cellánként akár egymilliót). Kedvező adat az is, hogy a jelenlegi technológia mellett az MRAM cellák adatmegtartó képessége 10 évre szól 200 Celsius fokos hőmérséklet mellett. Maga az MRAM egyébként a -40 és +125 Celsius fok közötti hőmérséklettartományon belül használható, vagyis ebben a tartományban magasabb adatmegtartó képességgel is rendelkezhet.
