A Samsung új gyártástechnológiák bevezetésén dolgozik, amelyekkel az eddigieknél kisebb méretű, nagyobb teljesítményű chipek készülhetnek. Ez természetesen nem csak a Samsung számára jön jól, hanem a megrendelők számára is, hiszen a világ vezető félvezető-gyártója egyben bérgyártóként is tevékenykedik.

Az új gyártástechnológiák közül az egyik a 11 LPP (Low Power Plus) nevet viseli, amely a korábbi, 14 LPP névre keresztelt gyártástechnológiához képest számos előnyt nyújt. Egyrészt bevetésével akár 10 százalékkal csökkenthető a lapka-terület, a teljesítmény ugyanakkor akár 15%-kal is magasabb lehet, méghozzá azonos fogyasztás-szint mellett. A 11 LPP a 10 nm FinFET mellé érkezik, ami a prémiumkategóriás mobilokban használt chipek alapját képezi. A 11 LPP várhatóan a középkategóriás és felsőkategóriás okostelefonok SoC egységeinél jut szerephez a nem is oly távoli jövőben, hiszen gyártásra már a következő év első felében használni fogják, így a következő év második felében érkező mobilok egy részében már jó eséllyel 11 LPP alapú SoC-ok lesznek.

A Samsung ezzel egy időben a 7 nm-es LPP gyártástechnológiáról is említést tett, amelynek nagy újítása, hogy itt már nem a tradicionális litográfiát használják, hanem a várva várt EUV (Extreme Ultra Violet) technológiát, amiről egyik korábbi hírünkben már említést tettünk. Dióhéjban arról van szó, hogy a szilícium alapú lapkák gyártásához jelenleg használt levilágító és mintázó megoldások már elérték technológiai határukat, így helyüket az EUV (Extreme Ultraviolet) alapú litográfiai rendszerek veszik át, hiszen csak azokkal lehet tovább csökkenteni a csíkszélességet.

Az EUV alapú 7 LPP gyártástechnológia egyelőre még fejlesztés alatt áll, de a munka a terveknek megfelelően halad, ami azt jelenti, hogy a következő év második felében már megkezdhető vele a kísérleti termelés. Érdekesség egyébként, hogy a Samsung stratégiai partnerénél, a GlobalFoundries-nél is hasonló ütemtervről lehet hallani, ami aligha lehet véletlen.

Az EUV litográfia fejlesztésén régóta dolgozik a dél-koreai vállalat. Remekül szemlélteti ezt, hogy 2014 óta EUV alapokra támaszkodva közel 200 000 szilícium ostyát gyártottak le, a folyamat során pedig rengeteg tapasztalatra sikerült szert tenni. Ezeket a tapasztalatokat természetesen beemelték a fejlesztési munkálatokba, amelynek eredményeként egy 256 Mb-es SRAM (Static Random-Access Memory) chip esetében sikerült igen jó, 80%-os kihozatali arányt elérni.

Az új gyártástechnológiákkal kapcsolatban hamarosan részletesebb tájékoztatást is ad a Samsung.