Csúcssebességű, takarékos ReRAM

Előállt a Fujitsu egy újfajta nem felejtő, rezisztív RAM-mal (ReRAM), ami egyesíti magában az alacsony fogyasztást az ellenállás-érték korlátozott váltakozásával.

Csúcssebességű, takarékos ReRAM

Előállt a Fujitsu egy újfajta nem felejtő, rezisztív RAM-mal (ReRAM), ami egyesíti magában az alacsony fogyasztást az ellenállás-érték korlátozott váltakozásával.

Az új ReRAM szerkezetét annyiban változtatták meg, hogy a két platina(Pt)-réteg közti nikkel-oxidhoz (NiO) titániumot (Ti) adtak, a tranzisztorból kifelé haladó áramot pedig korlátozták; ezzel a memória törléséhez szükséges áramerősséget 100 mikro-amperre (és esetenként még kevesebbre) sikerült lecsökkenteniük.

Mi több, még a mindössze 5 nanoszekundumos, nagy sebességű törlési műveletek esetén a hagyományos ReRAMoknál megszokott érték egytizedére csökkentették az eszköz minőségére kiható ellenállás-érték váltakozást.

Az új ReRAMot a Fujitsu a flash memóriák alternatívájának tartja, mivel azokhoz hasonlóan egyesítik magukban a gyorsaságot, az alacsony fogyasztást és az alacsony költségeket. Mi több, a ReRAM is könnyedén miniatürizálható és olcsón előállítható, így valóban vonzó választás lehet.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward