Áttörés: SRAM chip 0,4V-os üzemi feszültséggel

A Fujitsu Semiconductor Limited és a SuVolta Inc. egy meglehetősen érdekes közleményben tudatták, hogy együttműködésüknek köszönhetően olyan ultra-alacsony fesztültséggel működő SRAM chipet sikerült készíteniük, amely 0,425V-os feszültségen is gond nélkül működik.

Áttörés: SRAM chip 0,4V-os üzemi feszültséggel

A Fujitsu Semiconductor Limited és a SuVolta Inc. egy meglehetősen érdekes közleményben tudatták, hogy együttműködésüknek köszönhetően olyan ultra-alacsony fesztültséggel működő SRAM chipet sikerült készíteniük, amely 0,425V-os feszültségen is gond nélkül működik.

Ennek azért van komoly jelentősége, mert mióta a 130 nm-es gyártástechnológia bemutatkozott, a CMOS alapú SRAM megoldások nem tudtak belépni az 1V-os üzemi feszültségszint alá, és a helyzet még annak ellenére sem javult sokat, hogy a gyártástechnológia azóta már a 28 nm-es lépcsőnél tart. Az üzemi feszültség csökkentése lényeges szempont, hiszen aktívan hozzájárul a fogyasztáscsökkenéshez. A fogyasztás komoly korlátnak minősül a különböző termékek esetében, ugyanis sokszor ez szab gátat a különböző szolgáltatások hatékony biztosításának.

A két vállalat által kifejlesztett technológia két összetevőből áll: az egyik a SuVolta DDC (Deeply Depleted Channel) tranzisztor technológiája – amely a PowerShrink platform részét képezi – míg a másik a Fujitsu Semiconductor fejlett gyártástechnológiája. Az együttműködés gyümölcseként, az új technológiák alkalmazásával a gyártópáros elkészített egy 576 Kb-es SRAM memóriachipet, amely tökéletesen üzemel 0,425V-os feszültségen, ezt pedig úgy sikerült elérni, hogy a CMOS tranzisztor küszöbfeszültségének (VT) ingadozását a felére csökkentették.

Korábban ezt, azaz az üzemi feszültség csökkentését az RDF (Random Dopant Fluctuation) gátolta, ám a mérnökök két különleges technológia – az ETSOI és a FinFET (Tri-Gate) – segítségével sikeresen csökkentették az RDF mértékét. Nagyrészt az RDF felel az egy chipen belül elhelyezkedő különböző tranzisztorok küszöbfeszültségének véletlenszerű ingadozásáért. 65 nm-en ez az arány 70%, de ahogy a gyártástechnológia fejlődött, az RDF egyre nagyobb jelentőséggel bírt. Az RDF mértékének csökkentésével a küszöbfeszültség ingadozását 50%-kal sikerült csökkenteni, ezáltal lehetőség nyílt az üzemi feszültség (VDD) 30%-os skálázására.

Az újításnak hatalmas jelentősége van, ugyanis a különböző chipek többségénél pont az SRAM akadályozta meg azt, hogy az adott chip üzemi feszültségét 1V alá lehessen csökkenteni.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward