A Samsung egy rendkívül fontos mérföldkőhöz ért a HBM memóriachip-szendvicsek szegmensében. a gyártó legfrissebb fejlesztését, a HBM4E memóriaszabvány köré épülő termékeket sikeresen letesztelték, ennek során bizonyítást nyert, hogy az újdonságok maradéktalanul megfelelnek az Nvidia követelményeinek, azaz alkalmazhatóak lesznek a következő generációs, Rubin Ultra kódnévre keresztelt AI gyorsítók fedélzetén.
Ez azért komoly fegyvertény és nagy előrelépés is egyben, mert az a HBM3E szabványú memóriachip-szendvicseknél ezt az eredményt nem sikerült elérni, azok nem feleltek meg az Nvidia elvárásainak, így nem is kerülhettek a vállalat AI gyorsítóinak fedélzetére. Ez természetesen jókora kiesést jelentett, hiszen az AI-láz közepette óriási mennyiségben fogynak a HBM piac termékei, de a Samsung HBM3E chipjei az említett kudarc miatt nem tudtak elég nagy szeletet kihasítani a képzeletbeli tortából. Az Nvidia persze így is bizalmat szavazott a dél-koreai óriásvállalatnak a GDDR7-es memóriachipek szegmensében, most pedig a HBM4E kínálat is felnőtt a feladathoz.
Az új HBM generáció esetében a Samsung a piacvezető vállalatok közé tartozik, ugyanis a 2048-bites HBM4E memóriachip-szendvicsei 14 Gbps-os tempó elérésére képesek érintkezőnként, egy-egy ilyen chip pedig 2048 darab érintkezőn keresztül kommunikál. A 14 Gbps-os tempó mellett egyetlen HBM4E memóriachip-szendviccsel 3,6 TB/s-os memória-sávszélesség elérésére nyílik mód, ha pedig a 16 Gbp-os fejlesztéseket vesszük alapul, akkor ez az érték már 4 TB/s-ra katapultál. Ezekből a memóriachip-szendvicsekből egy-egy AI gyorsító fedélzetén akár egy tucatnyi is lehet, azaz jelentős memória-sávszélesség elérésére van mód.
A Samsung HBM4E kínálatában jelenleg 12-Hi felépítésű, azaz 12 darab DRAM lapkát rejtő memóriachip-szendvicsek találhatóak, amelyekkel chipenként 48 GB-os memória-kapacitás elérésére van mód. A piaci igények alapján 8-Hi és 16 Hi felépítésű megoldások is készülnek a későbbiekben, amelyek sorrendben 32 GB-nyi, illetve 64 GB-nyi memóriakapacitást biztosítanak.
Idén a HBM4E memóriachip-szendvicsek alapjául szolgáló szilícium-ostyákból mintegy 20 000 darab gyártását indíthatják el havi szinten, de 2027 folyamán ez a mennyiség már 50 000 darabra rúghat, ugyancsak havi szinten, azaz jelentős növekedhet a gyártókapacitás – már amennyiben minden a terveknek megfelelően halad. A DRAM lapkák alá természetesen egy alap-lapkának is kerülnie kell, ami a Samsung 4 nm-es osztályú SF4 gyártástechnológiájával készülhet – a hírek szerint a teljes SF4 gyártókapacitás mintegy felét fordítják a HBM4E memóriachip-szendvicsek alap-lapkáinak termelésére. Ez alapján nagy keresletre számítanak mind a klasszikus HBM4E szegmensben, mind pedig az egyedi alap-lapkákkal ellátott HBM4E megoldások piacán.
