30 nm-es DDR3 a Samsungtól

Büszkén jelentette be a Samsung, hogy megalkotta az első 2 GBites 30 nm-es gyártástechnológiával készülő DDR3 DRAM chipjeit. Kiemelték azt is, hogy az új eljárás a 40 nm-esnél 60, az 50/60 nm-esnél pedig 100%-kal hatékonyabb gyártást jelent.

30 nm-es DDR3 a Samsungtól

Büszkén jelentette be a Samsung, hogy megalkotta az első 2 GBites 30 nm-es gyártástechnológiával készülő DDR3 DRAM chipjeit. Kiemelték azt is, hogy az új eljárás a 40 nm-esnél 60, az 50/60 nm-esnél pedig 100%-kal hatékonyabb gyártást jelent.

Soo-In Cho, a Samsung memória-részlegének elnöke szerint az új eljárásuk a legfejlettebb és leghatékonyabb is egyben, ami csak elérhető ma az alacsony fogyasztású DDR3 piacon. Alkalmazásukat gyakorlatilag minden területre, minden készülékhez ajánlják, fogyasztói elektronikától kezdve egészen szerverekig.

Az új chip fogyasztása 30%-kal alacsonyabb 50 nm-es elődjénél. Érdekes módon a 40nm-esekkel nem mérték össze, feltehetőleg ahhoz képest nem lett volna elég impozáns az előrelépés. Mindenesetre azért ez se egy rossz érték.

Árakat egyelőre sajnos nem közölt a gyártó, azt azonban már lehet tudni, hogy az új egységek tömeggyártását a jelenlegi tervek szerint valamikor az idei év második felében kezdenék meg, így némi szerencsével még az év vége felbukkanhatnak konkrét termékekben is.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward