10 nm-es osztályú 8 Gb-es DDR4-es DRAM a Samsungtól

A vállalat elsőként kezdte meg a 10 nm-es osztályú gyártástechnológiával készülő 8 Gb-es DDR4 DRAM memóriachipek tömegtermelését.

10 nm-es osztályú 8 Gb-es DDR4-es DRAM a Samsungtól

A Samsung illetékesei büszkén jelentették be, hogy a vállalat megkezdte a piac első 10 nm-es osztályú DRAM memóriachipjeinek tömegtermelését, ami több szempontból is jó hír. Fontos leszögezni, hogy nem 10 nm-es csíkszélességről van szó, hanem 10 nm-es osztályúról, ami 11 és 19 nm között helyezkedik el – pontosabb adatot egyelőre nem közölt a gyártó. Egy korábbi bejelentés alapján viszont alighanem 18 nm-es csíkszélességről lehet szó.

A 10 nm-es osztályú gyártástechnológia bevezetése a DRAM piacon nagy jelentőséggel bír, ugyanis több előnyt is kínál. A 2014-ben bemutatott, 20 nm-es csíkszélességgel készülő 4 Gb-es DDR3-as memóriachiphez képest a már sorozatgyártásban lévő, 10 nm-es osztályú gyártástechnológiát használó 8 Gb-es DDR4-es memóriachip sokkal energiahatékonyabb, de ez nem is meglepő, hisz technológiai alapok terén is komoly az eltérés.

Sokkal beszédesebb, hogy az új 8 Gb-es DDR4-es memóriachip 10-20%-kal kevesebbet fogyaszt, mint egy ugyanekkora kapacitású, de 20 nm-es gyártástechnológiával készülő 8 Gb-es DDR4-es chip. Sebesség terén több, mint 30%-os előrelépés tapasztalható a 2400 MHz-es 20 nm-es DDR4-es elődmodellhez képest, hisz az új 8 Gb-es DDR4-es megoldás már 3200 MHz-es effektív órajelen működik.

Ahhoz persze, hogy a fenti előrelépés megvalósulhasson, nagyon komoly mérnöki munkára, illetve rengeteg fejlesztésre volt szükség. Az új memóriachipet ArF (Argon-fluorid) immerziós litográfiával készítik, méghozzá QPT (Quadruple Patterning Technology) segítéségével, ultravékony dielektromos réteget alkalmazva.

A DRAM esetében a helyzetet bonyolítja, hogy a NAND Flash memóriachipekkel ellentétben itt egy-egy cella nem csak egy tranzisztorból áll, hanem egy tranzisztorból és egy kondenzátorból, amelyek egymással összekapcsolódva dolgoznak – a kondenzátor a tranzisztor felett helyezkedik el. A 10 nm-es osztályú gyártástechnológia esetében komoly kihívást jelent, hogy nagyon keskeny hengeres kondenzátorokat kell elhelyezni a néhány tucat nanométernyi szélességű tranzisztorok felett – összesen több, mint nyolcmilliárdnyi cellát létrehozva. A kihívás leküzdésében a fentebb már említett mintázó technológia, a QPT segített. A mérnökök a cellakondenzátorok felett minden eddiginél egyenletesebb és vékonyabb dielektromos rétegeket hoztak létre, amelyek vastagsága a méter 10 milliárdod részében mérhető.

Az új gyártástechnológia a korábbi 20 nm-eshez képest termelékenység terén is komoly előnyt nyújt, hiszen a 10 nm-es osztályú csíkszélesség segítségével növelhető az egyetlen szilícium ostyából kinyerhető 8 Gb-es DDR4-es memóriachipek száma.

Az új memóriachipek segítségével 4 GB-tól egészen 128 GB-ig terjedő kapacitással többféle memóriamodul készíthető, amelyek a noteszgépektől a szerverekig többféle szegmenset is célba vesznek. Az új memóriachipek köré épülő memóriamodulok fokozatosan jelennek meg a vállalat termékpalettáján az év folyamán.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward