1-2 éven belül már találkozhatunk RRAM alapú meghajtókkal

Az RRAM segítségével minden eddiginél strapabíróbb, nagyobb teljesítményű SSD meghajtók készülhetnek, de megjelenésükre még várni kell.

1-2 éven belül már találkozhatunk RRAM alapú meghajtókkal

Az RRAM (Resistive Random-Access Memory) technológiáról korábban már érkezett némi információ: ennek segítségével nagyobb teljesítményű, sokkal strapabíróbb NAND Flash memóriachipek készíthetőek. A nemrégiben megrendezett International Electron Devices Meeting alkalmával a technológia mögött álló Crossbar illetékesei újabb részleteket is megosztottak az RRAM fejlesztésének jelenlegi állapotáról, illetve a technológia jövőjéről.

A Crossbar kétféle területre szánja az RRAM-okat. Egyrészt a beágyazott piacra, ahol SoC-ok és mikrovezérlők fedélzetén teljesít majd szolgálatot adattárként, másrészt pedig a diszkrét adattárolók, vagyis az SSD-k piacára, ahol a nagy adatsűrűséget kínáló változatok próbálnak majd szerencsét a nem is oly távoli jövőben.

A dolgok jelenlegi állása alapján úgy tűnik, a beágyazott, azaz chipekre szánt változat nagyon közel áll a kereskedelmi forgalomban történő megjelenéshez. A Crossbar illetékesei ugyan konkrét cégeket nem neveztek meg, de azt elmondták, számos "alfa vásárlójuk" van, akik már integrálják az RRAM technológiát új chipjeikbe. Ezeknek a beágyazott termékeknek hónapokon belül gyárthatják az első mintapéldányait, sorozatgyártásuk pedig a következő év végén, vagy 2016 elején kezdődhet meg.

A vállalat legfrissebb technológiai áttörése azonban nem a beágyazott példányokhoz, hanem a nagy adatsűrűségű RRAM chipekhez kapcsolódik. A keresztpontos 3D-s tömbnél az egyes cellák megcímzése a többi cellával való interferencia miatt problémás, ezt pedig az okozza, hogy egyetlen tranzisztorhoz több cella is tartozik. Emiatt – azaz az egyes cellákból szivárgó áram miatt – a fogyasztás sem alakul valami fényesen. Ez a probléma a beágyazott rendszereknél alkalmazott RRAM chipeknél nem jelentkezik, azoknál ugyanis egy cellához egy tranzisztor tartozik, ám ez az eljárás az SSD meghajtókhoz passzoló RRAM chipeknél nem alkalmazható, ugyanis nem lehet kellően nagy adatsűrűséget elérni.

Persze a fenti problémára így is sikerült megoldást találniuk a vállalat mérnökeinek: készítettek egy cellaválasztót, ami egyrészt választ ad az interferenciával és a szivárgási árammal kapcsolatos kihívásokra, másrészt nagy adatsűrűség esetén is alkalmazható. Az újdonság egyfajta kapcsolóként viselkedik, segítségével pedig effektíve száműzhető az éppen nem kiválasztott cellákhoz kapcsolódó szivárgási áram, ami korábban probléma forrása volt.

Az új eljárást a fenti diagram mutatja be, amelynek bal szélén egy hagyományos Crossbar RRAM memóriacella látható. A két "áramvonal" a cella karakterisztikáját mutatja, amikor üres, illetve amikor adatot tárol. A jobb szélen a cellaválasztó kapcsoló hatása látható, ami egy kikapcsolt állapotot hoz létre, de ezzel egy időben az adattárolást sem veszélyezteti. A Crossbar szerint ez a megoldás rettentően gyors, ugyanis az adott cella bekapcsolása kevesebb, mint 50 nanoszekundum alatt elvégezhető. Strapabíróság tekintetében vonzó adat, hogy az eljárás több, mint egymillió kapcsolás ciklust visel el.

A Crossbar cellaválasztója már működő hardver fedélzetén is jelen van. A bemutató céllal készített chip egy öreg, kiforrott, 110 nm-es gyártástechnológia segítségével készült, de a technológia a cég állítása szerint modernebb gyár gyártósoraira is átültethető. Ennek a chipnek a kereskedelmi forgalomban történő megjelenése egy évvel később lehet esedékes, mint a beágyazott termékekbe szánt kiadásé. Az első RRAM alapú SSD meghajtók várhatóan 28 nm-es csíkszélességgel készülő RRAM memóriachipek köré épülhetnek. Ezek SLC alapúak lehetnek, azaz cellánként 1 bitnyi adat tárolására lesznek képesek. Egy-egy RRAM memóriachip 16 réteggel bír, adattároló kapacitása pedig 128 GB, azaz 1 Tb lesz.

Természetesen nem csak SLC, hanem MLC és TLC módban üzemelő RRAM memóriachipek is készülhetnek, sőt, a technológia fejlettebb csíkszélességre is gond nélkül átöltethető. Az RRAM eljárás lelkét adó vezetők mindössze 4 nanométer szélesek attól függetlenül, hogy a cella milyen csíkszélességgel készült, így elég sok csíkszélesség-váltásra lesz mód a jövőben.

A Crossbar illetékeseinek reményei szerint több félvezető gyártó céggel is sikerül majd partnerkapcsolatba lépniük annak érdekében, hogy az RRAM alapú adattárolók piacra kerülhessenek. Arról egyelőre nincs szó, mely cégek lehetnek a célkeresztben, az viszont biztos, hogy a Crossbar a technológiát nem osztja majd meg a memóriagyártó cégekkel.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward