Technológiai áttörésre készül a Qimonda

A Qimonda a mai napon elérhetővé tette hosszú távú útitervét, amelynek keretein belül az elkövetkezendő évek folyamán a vállalat 30 nm-es gyártási technológiával készülő memória chipeket is készíthet. A technológiái áttörést a vállalat új eljárásával lehet majd kivitelezni: a Quimonda a Buried Worldline DRAm elnevezésre hallgató eljárás segítségével növeli majd a chipek teljesítményét, illetve ezzel egy időben csökkenti fogyasztásukat és méretüket is.

Technológiai áttörésre készül a Qimonda

A Qimonda a mai napon elérhetővé tette hosszú távú útitervét, amelynek keretein belül az elkövetkezendő évek folyamán a vállalat 30 nm-es gyártási technológiával készülő memória chipeket is készíthet. A technológiái áttörést a vállalat új eljárásával lehet majd kivitelezni: a Quimonda a Buried Worldline DRAm elnevezésre hallgató eljárás segítségével növeli majd a chipek teljesítményét, illetve ezzel egy időben csökkenti fogyasztásukat és méretüket is.

A vállalat az új technológiát elsőkét a 65 nm-es csíkszélességgel készülő 1 Gbites DDR2-es chipeknél alkalmazza, ezek az egységek várhatóan az idei év második felétől kezdve készülhetnek nagyobb mennyiségben.

" Az új technológiának köszönhetően jelentősen javíthatjuk termelékenységünket, ezzel egy időben viszont olyan ár/bit hányadost tudunk majd elérni, amelyre a cég története során eddig még nem volt példa." - mondta a Qimonda AG elnök-vezérigazgatója, Kin Wah Loh. "Mi vagyunk az első vállalat a memória piacon, aki nyilvánosságra hozta DRAM útitervét, amelyben szerepel a 30nm-es gyártási technológiára való áttérés is: a technológia segítségével akár 4F² mérettel rendelkező cellákat is készíthetünk majd." - tette hozzá. " A bejelentéssel vállalatunk továbbra is őrzi vezető szerepét fejlesztés tekintetében a memória piacon. Ez a lépés további együttműködések alapjaként is szolgálhat."

A vállalat a 46 nm-es csíkszélességgel készülő memória chipek sorozatgyártását várhatóan 2009. második felében kezdi meg, természetesen ezeknél a termékeknél is a már említett Buried Wordline DRAM technológiát alkalmazzák majd. A 46 nm-es egységek esetében ostyánként több, mint kétszerannyi bit elhelyezésére lesz lehetőség, mint az előző, 58 nm-es gyártási technológia esetében. A vállalat a technológia alkalmazásának érdekében egyszeri, 100 millió eurós befektetést hajt végre.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward