A félvezető piacon egyes gyártók még csak a 10 nm-es csíkszélesség bevezetésére készülnek, az IBM szakemberei azonban már a következő lépcsőt, a 7 nm-es gyártástechnológiát ostromolják, méghozzá nem is eredménytelenül.
Az IBM a SUNY Polytechnic Institute egyik üzemegységében sikeresen legyártott egy 7 nm-es tesztchipet, ami hatalmas szó. Gondoljunk csak arra, hogy a TSMC még csak most készítette el az első komplexebb 10 nm-es tesztchipjét.
Az IBM tesztchipje 7 nm-es csíkszélességgel dolgozó FinFET eljárásra támaszkodik, amelynél szilícium-germánium ötvözetből (SiGe) készített csatornákat alkalmaztak. Emellett a különlegesség mellett két egyéb extra technológiára is szükség volt a 7 nm-es csíkszélesség hatékony bevetéséhez: az egyik az úgynevezett önillesztett négyszeres mintázás, a másik pedig egy speciális EUV fényforrás, amelynek hullámhossza mindössze 13,5 nanométer.
A kutatók elmondása szerit a 7 nm-es gyártástechnológiával készített chip akár 50%-kal kisebb felülettel rendelkezhet, mint azok, amelyek a 10 nm-es csíkszélességre támaszkodnak. Ezzel együtt a 10 nm-es csíkszélességgel készülő chipekhez képest legalább 50%-os javulásra is lehet majd számítani fogyasztás/teljesítmény arány tekintetében, ami rendkívül jól hangzik.
Az egyelőre nem világos, hogy az IBM mikor kívánja piacra dobni az első olyan termékeket, amelyeken már 7 nm-es csíkszélességgel készített chipek dolgoznak, viszont az egy nagyon jó jel a folyamat szempontjából, hogy már most van lehetőség működő tesztchipek gyártására.
Persze abból kiindulva, hogy a 10 nm-es csíkszélesség piaci bevezetésére még elég sokat kell várni, egészen biztos, hogy a 7 nm-es csíkszélesség majd csak évek múlva teszi tiszteletét a piacon, de legalább már látszik, mi lesz a következő komoly lépcső gyártástechnológia fronton.
