A félvezetőipari bérgyártók szegmensében rendületlenül zajlanak a kutatások és fejlesztések annak érdekében, hogy a vállalatok zökkenőmentesen kiszolgálhassák partnereik igényeit, valamint az egyes iparágak fejlődése is azon múlik, milyen újabb gyártástechnológiák válnak elérhetővé. Az egyes élvonalbeli partnerek persze már nem csak és kizárólag monolitikus dizájnban gondolkodnak, a több chipből álló megoldások is kezdenek egyre inkább elterjedni, és ez a jövőben tovább fokozódhat, de ez már egy másik történet.
Az élvonalbeli partnereknek szükségük van a gyártástechnológiák folyamatos fejlődésére, ezekhez igazítják újabbnál újabb termékeiket is, éppen ezért a TSMC-nél sem tétlenkednek, már a 2 nm-es utáni éra előkészítésén dolgozik a fejlesztőcsapat, legalábbis a friss szóbeszédek alapján erre lehet következtetni. Maga a 2 nm-es osztályú csíkszélesség (N2) várhatóan 2025 folyamán állhat tömegtermelésbe, utána pedig az 1,4 nm-es gyártástechnológia érkezésére számíthatunk, de csak majd valamikor 2028 táján, amennyiben a vállalat tartja az eddig megszokott 2,5-3 éves „lépésközt” az egyes újabb node-ok esetében.
Az 1,4 nm-es node fejlesztésével a hírek szerint azt a csapatot bízták meg vállalaton belül, amelynek tagjai az N3, azaz a 3 nm-es osztályú csíkszélesség fejlesztésén is dolgoztak. Noha ez egy rendkívül fontos mérföldkő, az efféle eseményeket nem szokták formálisan bejelenteni a félvezetőipari gyártók, az viszont elképzelhető, hogy a június közepén esedékes Technology Symposium alkalmával a távolabbi tervekre is kitérnek majd a vállalat illetékesei.
A tervezés megkezdése egy rendkívül hosszadalmas és bonyolult folyamat, amelynek során „útkereséssel” próbálják meghatározni a megfelelő irányt, már ami a számításba vehető anyagokat, valamint a fizikával, illetve a kémiával kapcsolatos alapvető kérdéseket illeti, és rendszerint nem is egy úton indulnak el, hanem több lehetőséget is megvizsgálnak, egymással párhuzamosan, akár több node-re kiterjedően is. Az persze egyelőre nem világos, hogy az N2 után érkező új gyártástechnológiát hogyan nevezik majd hivatalosan, igazából az sincs kizárva, hogy az Intelhez hasonlóan a TSMC is átáll az angstrom mértékegység használatára.
Mivel az N2 esetében Gate-All-Around Field-Effect Transistor technológiát használnak (GAAFET), méghozzá EUV levilágítás mellett, könnyen lehet, hogy a következő generációs gyártástechnológiánál is marad a GAAFET technológia, az viszont elképzelhető, hogy EUV fronton bevezetnek fejlesztéseket. Egyelőre az is rejtély, pontosan milyen előrelépést hoz majd az új gyártástechnológia az N2-höz képest, de idővel erre is választ kaphatunk – még csak most kezdődik a munka, sok víz lefolyik a Dunán addig, mire elkészül az új node.
Az azért érdekes lesz, hogy az új gyártástechnológiának melyik Intel csíkszélességgel kell majd versenyeznie. Az Intelnél a 18A gyártástechnológia bevezetése 2025-ben esedékes, így 2028 táján már a 16A vagy a 14A csíkszélesség is készen állhat a bevetésre az Intelnél.
