Az eheti soros grafénújdonságot a Southamptoni Egyetem kutatócsoportjának köszönhetjük - ők fejlesztettek ki ugyanis egy rekordgyorsasággal kapcsolható grafén mezőhatás tranzisztort (GFET-t).
A grafén ugyanis bár kiváló elektromos vezető, tiltott sávja nincs (nincs különbség a vezető és a nem-vezető állapota között), így a grafén tranzisztorokat nem egyszerű ki-be kapcsolni. Ezt a problémát orvosolta most Dr. Zakaria Moktadir nanotechnikai kutatócsoportja oly módon, hogy geometriai szingularitásokat (így például szögletes mélyedéseket és sarkokat) alakított ki kétrétegű grafén nanodrótokban.
Ily módon máris lehetőségük nyílt az áram folyásának tetszés szerinti elrekesztésére vagy újra beindítására, ráadásul az eddigi egyéb jellegű megoldásoknál mintegy ezerszer gyorsabban. Ez pedig különösen nagy löketet adhat a grafénalapú elektronika további fejlesztésének, megnyitva a kaput a jelenlegi, a határait már igencsak erősen döngető CMOS-technológián való túllépés előtt.
Dr. Moktadir és csapata jelenleg a mechanizmus működési elvének alaposabb kiismerésén fáradozik, valamint tesztelik a tranzisztor megbízhatóságát, a teljesítményének különböző körülmények közti ingadozásának mértékét.
