Shop menü

IDÉN MÁJUSBAN DEBÜTÁLHATNAK A SAMSUNG 290 CELLARÉTEGBŐL ÁLLÓ 3D V-NAND FLASH MEMÓRIACHIPJEI

A rövidesen érkező 9. generációs 3D V-NAND Flash chipek után 2025 elején már a 10. generáció képviselői is felbukkanhatnak.
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Víg Ferenc (J.o.k.e.r)
Idén májusban debütálhatnak a Samsung 290 cellarétegből álló 3D V-NAND Flash memóriachipjei

A Samsung a következő hónap folyamán bemutathatja legújabb, immár a 9. generációt képviselő 3D V-NAND Flash memóriachipjeit, amelyek jókora előrelépést hozhatnak az aktuális, 8. generációt alkotó megoldásokhoz képest. A 8. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek esetében még csak 236 aktív cellaréteget használtak az adatok tárolására, ám a 9. generációnál magasabbra emelik a lécet, már csak karnyújtásnyira lesznek a 300 cellaréteget jelentő álomhatártól. Ez természetesen segíthet az SSD meghajtók és kártyák adattároló kapacitásának növelésében, illetve a bitkihozatal emelésében is, ami végső soron költséghatékonyabb gyártást eredményezhet.

Az új 3D V-NAND Flash lapkák a szerkezeti és technológiai fejlesztéseknek köszönhetően immár 290 aktív cellaréteggel állnak a felhasználók és az adataik rendelkezésére, amelynek köszönhetően növekedni fog az adatsűrűség. Arról egyelőre nem tett említést a dél-korai Hankyung, hogy az új memóriachipek pontosan milyen tulajdonságokkal rendelkeznek majd, csak annyi tűnik biztosnak, hogy hivatalosan május folyamán ránthatják le róluk a leplet. A 8. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek egyébként még 2022 folyamán jelentek meg.

Galéria megnyitása

A háttérben természetesen már folyik a 9. generációs 3D V-NAND Flash chipek utódjainak fejlesztése is, amelyek a hírek szerint már 2025 elején bemutatkozhatnak. A 10. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipeknél tovább növelik az aktív cellarétegek számát, így ott már 430 aktív cellaréteg állhat rendelkezésre, azaz jókora előrelépésre számíthatunk. Ehhez képest a 9. generációs 3D V-NAND Flash memóriachipek csak 54 cellaréteggel tartalmaznak többet, mint 8. generációs társaik, a 10. generáció képviselői viszont már 140 cellaréteggel többet mutathatnak fel 9. generációs elődjeikhez képest. Ezzel a Samsung versenyben marad az olyan riválisokkal szemben, mint amilyen a Micron Technology, az SK hynix vagy éppen a Kioxia.

Amennyiben a fejlesztés üteme a terveknek megfelelően halad, az iparág képviselői 2030-ra már akár 1000 cellarétegből álló 3D NAND Flash memóriachipeket is gyárthatnak, igaz, addig azért még rengeteg kihívást kell leküzdeni. Közben a NAND Flash piacon drágulás mutatkozik, ami a termelés visszafogásának köszönhető, és a jelek szerint az árak továbbra is növekvő tendenciát mutatnak majd.

Neked ajánljuk

    Tesztek

      Kapcsolódó cikkek

      Vissza az oldal tetejére