A GDDR7-es memóriachipek rövidesen fontos szerepet kapnak a következő generációs gamer videokártyák fedélzetén, illetve a költséghatékonyabb AI gyorsítókat, valamint a munkaállomásokba szánt videokártyák felsőkategóriás képviselőit is ezekkel a memóriachipekkel szerelhetik fel. A Samsung a minap előrukkolt az iparág első 24 Gb-es GDDR7-es memóriachipjeivel, amelyek akár 42,5 GHz-es effektív órajel elérésére is képesek lehetnek. Segítségükkel egy 512-bites memória-adatsínnel és 48 GB-nyi fedélzeti memóriával ellátott csúcskártya akár 2720 GB/s-os memória-sávszélesség elérésére is képes lehet, ha a maximális órajelen, 42,5 GHz-en ketyegnek a memóriachipek.
Az új memóriachipek egyrészt azért bírnak nagy jelentőséggel, mert a nyáron bemutatott 16 Gb-es verziókhoz képest 50%-kal nagyobb kapacitást kínálnak, így több VRAM kerülhet a következő generációs videokártyák fedélzetére. Ezzel egy időben a magas effektív órajel is kifejezetten jól jön, hiszen segít az effektív memória-sávszélesség növelésében, ami kiemelten fontos szempont.
A Samsung szerint az új memóriachipek tehát 50%-os előrelépést kínálnak adatsűrűség terén, de ezzel egy időben energiahatékonyságuk is javult 30%-kal, valamint 25%-os előrelépés történt memória-sávszélesség terén is az eddig bemutatott GDDR7-es memóriachipekhez képest, amelyek 32 GHz-es effektív órajelen ketyeghetnek és 16 Gb-es kapacitással bírnak. Az új memóriachipeket a Samsung 5. generációs 10 nm-es csíkszélességével készítik, ami 50%-os sűrűségnövekedést eredményez, a lapka tokozása pedig nem változik a 16 Gb-es megoldásoknál megszokott mérethez képest.
Az előrelépések jelentős részét az okozza, hogy a jeltovábbítás PAM3 jelkódolás mellett történik, ami háromféle jelszinttel dolgozik (-1, 0, +1). A 24 Gb-es GDDR7-es Samsung memóriachipek alapvetően 40 GHz-es maximális effektív órajel elérésére képesek, de speciális körülmények között 42,5 GHz-nél tetőzik az órajelcsúcs, azaz a 24 GHz-es GDDR6X chipekhez képest közel 80%-kal magasabb órajelet érhetnek el.
Az energiahatékonyság növelését számos technológia segíti, ezeknek köszönhetően a már említett 30%-os előrelépés elérésére nyílik lehetőség. Az új memóriamoduloknál az órajelmenedzsment és a Dual VDD dizájn mellett a tápkapuzás is fontos szerepet tölt be a siker eléréséhez, ugyanis utóbbi segítségével a memóriachip éppen használaton kívüli részeit „lekapcsolhatja” a memóriavezérlő, ami jótékonyan hat a szivárgási áram alakulására.
Az új memóriachipekkel egy 128-bites 12 GB-os memória-alrendszer 680 GB-os, míg egy 192-bites 18 GB-os memória-alrendszer esetében már 1020 GB/s-os memória-sávszélesség elérésére van mód. A 256-bites memória-adatsínre kapcsolódó 24 GB-nyi VRAm ehhez képest 1360 GB/s-os memória-sávszélességet érhet el, a 320-bites memória-adatsínt használó 30 GB-os VRAM pedig 1700 GB/s-os memória-sávszélességet kínálhat a GPU számára. A csúcsot a fentebb említett 512-bites memória-alrendszer képviseli, amelyre 48 GB-nyi VRAM kapcsolódhat és amellyel 2720 GB/s-os memória-sávszélesség érhető el.
A Samsung tervei szerint a 24 Gb-es GDDR7-es memóriachipek sorozatgyártása a következő év elején indulhat meg.
