500-szor gyorsabb flash memóriák jönnek

Az IBM, Macronix és Quimonda tudósai bejelentették egyik komoly kutatásuk eredményre vezetett, ami felgyorsíthatja a számítógépekben használt memóriák fejlődését az által, hogy a mostaniaktól nagyságrendekkel gyorsabb flash memória chipeket lesznek képesek széles körben használni, akár számítógépekben, de digitális kamerákban, fényképezőkben is.

500-szor gyorsabb flash memóriák jönnek

Az IBM, a Macronix és a Quimonda tudósai bejelentették egyik komoly kutatásuk eredményre vezetett, ami felgyorsíthatja a számítógépekben használt memóriák fejlődését az által, hogy a mostaniaktól nagyságrendekkel gyorsabb flash memória chipeket lesznek képesek széles körben használni, akár számítógépekben, de digitális kamerákban, fényképezőkben is.

A kutatási eredmények előfutárai lehetnek az úgynevezett „phase-change” memóriáknak, melyek jóval gyorsabbnak és lényegesen kisebbnek ígérkeznek mostani flash memória társaiknál. Így lehetővé válik a nagy sűrűségű, de nem „feledékeny” memóriák gyártása és ezáltal innovatívabb informatikai termékek előállítása. Az úgynevezett „nem-illékony” memóriák nem igényelnek elektromos áramot ahhoz, hogy megtartsák a bennük tárolt adatokat, így ezek fejlődése kulcsfontosságú lehet a mobil alkalmazásoknál használt általános memóriák kiváltásához.

Az IBM tudósai az Egyesült Államokbeli laboratóriumaikban megterveztek és be is mutattak egy prototípust, ami körülbelül 500x gyorsabb adatátvitelre képes, mint a mai flash memóriák, viszont csupán fele annyi elektromos áramot igényelnek ugyanahhoz az írási művelethez. Az eszköz csíkszélessége is meglepő, hiszen mindössze 3-20 nanométeres nagyságrendben gondolkodnak, ami a mai csúcs eszközök termelési paramétereihez képest is hihetetlen eredmény. A rossz hír viszont, hogy csupán 2015 környékén tervezik a kereskedelmi bevezetését, de a tudósok szerint erre is érvényes lesz Moore törvénye, azaz másfél évente megduplázódik a kapacitása/sebessége. Az új anyag egy komplex félvezető ötvözet, ami egy kimerítő kutatás eredményeképp született meg az IBM Almaden kutató központjában San Joséban.

A számítógép memóriák cellái az információkat egyesek és nullák formájában tárolják el, egy olyan módszer segítségével, ami igen gyorsan képes váltani a két állapot között. A legtöbb mai memória ezt az elektromos töltés jelenlétével vagy hiányával regisztrálja az adott cellában, ehhez viszont folyamatos áramellátás szükséges, amennyiben pedig megszakad az áramellátás a benne lévő adatok azonnal elvesznek. A flash technológiával készülő, illetve az új találmány is az úgynevezett lebegő kapus elvet alkalmazza az adatok tároására, aminek az előnye, hogy nem veszti el az állapotát az áramforrás megszűnésekor, de a mai flashek közel ezerszer lassabbak, mint a DRAM-ok, sőt további hátrányuk, hogy körülbelül 100,000 újraírást követően instabillá válnak, ami egy pendrive vagy egy fényképező esetén nem probléma, de egy rendszeren belüli alkalmazás futtatása sok újraírást követel, így rendszermemórián semmiképp nem alkalmas a mai flash megoldás. Továbbá a Moore törvény betartása mellett a fejlesztőknek egyre nagyobb kihívást jelent majd a flashek adatmegtartó képességének továbbvitele, mert 45 nanométer alatt jelenleg szinte elképzelhetetlen, hogy áramellátás nélkül tartsanak meg adatokat a cellákban.

Az új memóriával kapcsolatos információkat ezen a héten az IEEE (Elektronikai és Elektromérnökök Intézete) 2006-os nemzetközi konferenciáján hozták nyilvánosságra San Franciscóban,de a 2007 februári újabb, szupertitkos IEEE rendezvényen biztosan többet is elárulnak majd.

Tesztek

{{ i }}
arrow_backward arrow_forward
{{ content.commentCount }}

{{ content.title }}

{{ content.lead }}
{{ content.rate }} %
{{ content.title }}
{{ totalTranslation }}
{{ orderNumber }}
{{ showMoreLabelTranslation }}
A komment írásához előbb jelentkezz be!
Még nem érkeztek hozzászólások ehhez a cikkhez!
Segíts másoknak, mond el mit gondolsz a cikkről.
{{ showMoreCountLabel }}

Kapcsolódó cikkek

Magazin címlap arrow_forward