A TSMC háza táján remekül zajlanak a fejlesztések, már ami az új gyártástechnológiákat illeti, legalábbis erre utal a DigiTimes iparági forrásokra alapozott beszámolója. A tajvani bérgyártónál mindent elkövetnek annak érdekében, hogy a korábban beharangozott ütemtervet tartani tudják, így a következő év márciusában már tömegtermelésbe is állhat az 5 nm-es csíkszélesség, ami igen szép eredmény, hiszen a 7 nm-es node két éve debütált.
Az 5 nm-es gyártástechnológia esetében EUV (Extreme Ultra-Violet) típusú levilágítást használnak, csak úgy, ahogy a második generációs 7 nm-es gyártástechnológia esetében is, ám nem az összes rétegnél vetik be ezt a módszert, ahogy azt megszokhattuk. Hogy milyen előnyöket nyújt az 5 nm-es csíkszélesség az aktuális 7 nm-es node-hoz képest?
A korábbi ígéretek szerint a teljesítmény 15%-kal emelkedhet, a fogyasztás nagyjából 30%-kal csökkenhet, míg a tranzisztorsűrűséget igen komoly mértékben, 80%-kal növelhetik, így ugyanakkora lapkafelületen 1,8x több tranzisztor kaphat helyet.
Ezzel egy időben 7 nm-es fronton már nem ennyire rózsás a helyzet, hiszen sokkal több megrendelés érkezik, mint amekkora gyártókapacitás rendelkezésre áll, így a korábbi átfutási idő megháromszorozódott, azaz két hónap helyett már közel hat hónapot kell várni a megrendelés leadása és az adott lapka leszállítása között, ami a piaci szereplők számára egyáltalán nem jó hír, ahogy azt korábban már megírtuk.
