A Samsung nemrégiben adta hírül, hogy fejlesztőcsapata elkészült az iparág első GDDR7-es szabványú memóriachipjének fejlesztésével, az eredmények pedig eléggé impresszívek lettek. A szóban forgó memóriachippel kapcsolatban elég sok információra derült fény a bejelentés kapcsán, ám nagyon sok fontos részlet hiányzott még a teljes képhez, ezeket ugyanis nem tartalmazta a bejelentés. Szerencsére az AnandTech egyik munkatársa, Ryan Smith hozzájutott a hiányolt adatokhoz és azon nyomban közkinccsé is tette őket.
A bejelentés alapján az már nem titok, hogy az első GDDR7-es Samsung memóriachip, ami a felsőkategóriás gamer videokártyák mellett az AI és a HPC piacra szánt különböző megoldások fedélzetén is helyet kaphat, igencsak nagy gyorsulást hoz a jelenlegi leggyorsabb GDDR6-os memóriachipekhez képest. A GDDR6-os memóriachipek háza táján jelenleg 24 GHz-es a leggyorsabb megoldás, míg az első GDDR7-es memórialapka már 32 GHz-es effektív órajelen ketyeghet. Komoly előrelépést jelent az is, hogy a GDDR6-os szabványú memóriachipek még NRZ kódolást használtak az adatátvitel esetében, míg a GDDR7-es memóriachipeknél már PAM3 jeltovábbítással operálnak, ami kettő helyett immár három jelszint megkülönböztetését teszi lehetővé, vagyis két órajel-cikluson belül nem kettő, hanem három bitnyi információ továbbítható. Érdekesség, hogy a GDDR6X memóriachipek, amelyeket a Micron és az Nvidia szakemberei közösen fejlesztettek ki, és amelyeket csak és kizárólag Nvidia videokártyákon találunk meg, a PAM4 alapú jeltovábbításra támaszkodnak, ami viszont már négy jelszinttel dolgozik
Akkoriban rejtély volt, hogy az új memóriachip milyen üzemi feszültséggel dolgozhat, illetve az sem volt világos, hogy milyen kapacitással rendelkezik és milyen gyártástechnológiával készülhet. Ezek az információk szerencsére időközben már befutottak, így nem titok, hogy a GDDR7-es memóriachipek 1,2 V-os üzemi feszültséget igényelnek, míg a leggyorsabb GDDR6-os példányoknál ez az érték 1,35 V. Fontos adat még az egy bitre jutó pico-Joule értéke (pJpb), ami a GDDR7 esetében 7%-kal magasabb abszolút értékben, mint a GDDR6-os memórialapkáknál, viszont a 32 Gbps-os adatátviteli sávszélességhez képest 20%-kal alacsonyabb, ha a 24 Gbps-os GDDR6-os memóriachipekhez hasonlítjuk.
Ez lényegében azt jelenti, hogy a GDDR7 összességében 20%-kal jobb energiahatékonyság elérésére képes, mint a GDDR6, ami igazából csak és kizárólag az új architektúra előnyeiből fakad, nem a gyártástechnológia fejlődéséből. Utóbbi téren egyébként nincs előrelépés, ugyanis az első GDDR7-es memóriachipekhez ugyanúgy a D1z node-ot használják a Samsung szakemberei, mint a leggyorsabb GDDR6-os memóriachipekhez. A D1z node lényegében 10 nm-es osztályú gyártástechnológia, aminél már EUV litográfiát is bevetnek. Kapacitás terén az első GDDR7-es memóriachipek ugyanúgy 16 Gb-esek lehetnek, mint a jelenlegi leggyorsabb GDDR6-os példányok.
Arra persze még mindig nem érkezett válasz, hogy a GDDR7-es memóriachipek sorozatgyártása mikor indulhat, de remélhetőleg már erre sem kell sokat várni. Az új memóriachipek főként a felsőkategóriás gamer videokártyák fedélzetén kaphatnak majd helyet, a középkategóriában és attól lejjebb jó eséllyel a GDDR6 maradhat az alapértelmezett választás, költséghatékonysági okokból.
