Az SK hynix folyamatosan dolgozik azon, hogy a lehető legjobb megoldásokkal álljon elő, és még a Samsungot is megelőzve jelentett be korábban olyan rendszermemóriát okostelefonok számára, ami közel 10 Gbps-os sebességre képes. Most pedig a Qualcomm és az SK hynix hivatalosan bejelentette azt is, hogy az új csúcs-Snapdragon ezt támogatva debütált.
Az Snapdragon Summit 2023 keretében debütált a Snapdragon 8 Gen 3 rendszerchip, és a Qualcomm a rendezvényen egyebek mellett arra is kitért, hogy az új rendszerchip már olyan memóriavezérlőt kapott, ami a 4,8 GHz-es frekvencián üzemelő LPDDR5X memóriák alkalmazását is támogatja. Az eseményt követően pedig az SK hynix beszélt arról, hogy most indul az új LPDDR5T lapkája forgalmazása, és a Snapdragon 8 Gen 3 mellett fogják alkalmazni a mobilgyártók.
9,6 Gbps-os sávszélességről beszélhetünk már itt, és az LPDDRT valójában egy fantázianév, ahol a T a Turbó rövidítéséből ered. A lapka már a negyedik generáció 10 nm-es osztályú gyártási eljárással készül, ennek köszönhetően a kiemelkedő sávszélesség mellett is rendkívül hatékonyan fog üzemelni. 1,12 v alatti feszöltségen tud üzemelni a korábbi információk szerint, és ezt a cég most is megerősítette.
A Snapdragon 8 Gen 2 esetén 8,5 Gbps jelentette a plafont, ahhoz képest itt 13 százalékos előrelépésről beszélhetünk.
Összesen hajszál híján 77 GB/s-os sávszélességgel gazdálkodhat már a Snapdragon 8 Gen 3 az SK hynix DRAM-ok bevetése esetén. Erre pedig minden bizonnyal sok esetben szükség is lesz, elnézve az első teljesítményteszteket, melyeken kiváló szereplést mutat be a Snapdragon 8 széria legújabb tagja. Esetenként még 40 százaléknál is nagyobb gyorsulást mutat a szintetikus tesztekben, ha pedig MI feladatokról van szó, a tempónövekedés még nagyobb lehet.
„Nagy örömünkre szolgál, hogy az LPDDR5T rendelkezésre bocsátásával eleget tettünk ügyfelünk igényeinek az ultra-nagy teljesítményű mobil DRAM-ok terén. Úgy vélem, hogy az okostelefonok funkciói, amelyek mögött kiváló DRAM áll, tovább fejlődhetnek ezáltal. Azon is dolgozni fogunk, hogy megerősítsük a Qualcommal való együttműködésünket, hogy a technológiát ezen a területen a jövőben még magasabb szintre emeljük.” – jelentette ki Sungsoo Ryu, az SK hynix DRAM terméktervezési vezetője.
A Qualcomm elmondta, hogy az SK hynix fejlesztésének köszönhetően még hatékonyabban tudják megvalósítani a korábbi terveiket az MI felhasználási területeken, így például a nagy nyelvi modellek helyben futtatása során. A nagyobb sávszélességgel alacsonyabb késleltetés is elérhető lesz, és folyamatosan egyre több teljesen „on-device” formában futtatható applikáció jelenhet majd meg, amiknek eddig online kapcsolatra is szüksége volt.
Azt is megtudhattuk, hogy legfeljebb 16 GB-os kapacitás mellett lehet majd ezt alkalmazni, és valószínűleg sok olyan okostelefon fog befutni a továbbiakban, amelynél még ilyen opció is lesz. A Snapdragon 8 Gen 3 pedig a maga részéről akár 24 GB-os is képes elmenni a DRAM támogatást tekintve.
Az SK hynix új LPDDRT memóriája a Xiaomi 14 szériában debütál a Snapdragon 8 Gen 3 rendszerchippel karöltve. Korábban a szóban forgó DRAM-mal részletesen is foglalkoztunk.
