Az SK Hynix egy újabb fontos mérföldkőhöz érkezett a minap, amelynek eredményeként végre megkezdhették a következő generációs, 12-Hi kiépítésben érkező HBM4E memóriachip-szendvicsek első mintapéldányainak szállítását a partnerek felé. A 12 darab DRAM lapkát tartalmazó újdonság kritikus fontosságú lesz a következő generációs AI gyorsítók hatékony kiszolgálásában, ugyanis nemcsak kapacitás terén képvisel előrelépést előző generációs társaihoz képest, hanem adatátviteli sávszélesség terén is, ami nagyobb memória-sávszélesség elérését teszi lehetővé, plusz még energiahatékonyság terén is javulást hoz.
Az SK hynix 48 GB-os HBM4E memóriachip-szendvicse azért is különleges, mert tavaly a memóriagyártók még azt tervezték, hogy a 32 GB-os kapacitást 12-Hi kiépítésben érik majd el, míg a 48 GB-os kapacitás esetében 16-Hi kiépítés lesz érvényben. Ehhez képest az SK hynix fejlesztése mindössze 12 DRAM lapkaréteggel tudja teljesíteni a 48 GB-os kapacitást, ami azt jelenti, hogy az egyes DRAM lapkák nagyobb adatsűrűséggel rendelkeznek. További jó hír, hogy a HBM4E alapú újdonság esetében az újabb csatoló, illetve az optimalizációk hatására sikerült csökkenteni az adatátviteli késleltetést, ami szintén kritikusan fontos szempont.
Nagyon fontos előrelépés továbbá az is, hogy az érintkezőnként elérhető sebesség immár 16 Gbps-ra növekedett, azt viszont nem részletezték, egy-egy memóriachip-szendvics pontosan mekkora adatátviteli sávszélességet nyújt. Az viszont nem titok, hogy a HBM4E alapjául szolgáló DRAM lapkák a vállalat hatodik generációs 10 nm-es gyártástechnológiájával (1c) készülhetnek, ami azonos lapkaterületen nagyobb memóriacella-sűrűséget eredményez, ezáltal növelhető a kapacitás és az energiahatékonyság is. Utóbbi területen az új fejlesztés az előző generációhoz képest 20%-nál is nagyobb előrelépést hoz, ami nagy jelentőséggel bír az AI gyorsítók piacán.
A recept fontos összetevője az Advanced MR-MUF tokozás is, ami erősíti az egymásra rétegezett DRAM lapkákból álló struktúrát azáltal, hogy védelemként funkcionáló anyagot illeszt az egyes lapkák közé, ami nemcsak a strukturális stabilitásra hat pozitívan, hanem a hőátadás hatékonyságát is javítja. Ez utóbbi téren az SK hynix szerint 17%-os javulást sikerült elérni az előző generációs megoldásokhoz képest, ami hozzájárul ahhoz, hogy a memória-alrendszer és ezáltal a nagyteljesítményű AI gyorsítók is stabilabban működhessenek, illetve hosszabb időn át stabilan tarthassák csúcsteljesítményüket.
Az SK hynix azt egyelőre nem részletezte, hogy a 12-Hi felépítésű HBM4E memóriachip-szendvicsek sorozatgyártása pontosan mikor indulhat meg, de a ZDNet munkatársai úgy tudják, erre akár már a következő év első felében is sor kerülhet, amennyiben minden jól megy. Közben a vállalat már fejleszti a következő, hetedik generációs 10 nm-es osztályú csíkszélességet is, ami kritikus fontosságú lesz a teljesítmény és az energiahatékonyság további fokozásában, már ami a HBM 5 generációt illeti.
