Az Intel Foundry végre kezd sikereket elérni, ugyanis a 14A csíkszélesség optimalizálása nagyon jól halad, a 18A gyártástechnológia kihozatali aránya is kellően magas, közben pedig a potenciális megrendelők is egyre inkább sorakoznak, akik a jelek szerint készek üzletet kötni az Intel Foundry Services csapatával.
időközben a vállalat elért egy jelentős iparági mérföldkövet is, hiszen immár egymilliónál is több olyan szilícium-ostyát gyártottak le, amelyekhez a High-NA EUV gyártástechnológiát használták, már ami az egyes rétegek mintázását illeti, ezzel jelenleg az Intel Foundry az egyetlen üzem az iparágon belül, ahol aktívan támaszkodnak a legmodernebb EUV gépekre. A High-NA EUV gépek bevetése eléggé komplex folyamat, ami sok-sok kihívást tartogat, ezért az iparági szereplők óvatosan, körültekintően, finom lépésekben próbálják kiismerni, milyen sajátosságai vannak az eljárásnak és fokozatosan vezetik be gyártási folyamataikba is. Az Intelnél a jelek szerint a High-NA EUV körül minden a legnagyobb rendben van.
Az első High-NA EUV gépeket még 2024 folyamán telepítették és üzemelték be annak érdekében, hogy a 14A node fejlesztéséhez használhassák őket, ám azóta a folyamatos kísérletezésnek és az egyre gyűlő tapasztalatoknak köszönhetően nemcsak a 14A node esetében, hanem a 18A node-nál is bevetették őket, pedig utóbbiakhoz eredetileg nem tervezték a High-NA EUV technológia használatát. A 18A gyártástechnológia High-NA EUV gépekkel kiegészített változatát egyes Panther Lake lapkákhoz vetették be, amelyeknél néhány réteg már ezzel a technológiával készül, a többinél pedig a klasszikus eljárásokat alkalmazták. A High-NA EUV technológia kapcsán szerzett tapasztalatokat persze nemcsak az Intel termékeinek gyártásánál kamatoztatják, a külsős megrendelők is profitálhatnak belőlük.
A gyártó nemrégiben sikeresen teljesítette a megfelelőségi tesztet is, amelynek keretén belül az ASML mérnökeivel is együttműködtek, így a technológia használhatóvá vált a 14A node mellé annak érdekében, hogy a szilícium-ostyák gyártása még hatékonyabban, még eredményesebben történhessen. A teszt az ASML második High-NA EUV gépével, a TwinScan EXE:5200B-vel készült, míg az első teszteket anno a TwinScan EXE:5000 segítségével végezték el a 14A csíkszélesség fejlesztésével kapcsolatos folyamatok alkalmával. A korábbi munka eredményeként egyetlen negyedév alkalmával 30 000-nél is több szilícium-ostyát tudtak feldolgozni, ami az egyszerűsített gyártási folyamatnak köszönhető. A gyártáshoz szükséges lépések számát egy adott specifikus réteg esetében 40-ről egészen 10 alá csökkentették, ami jelentős gyorsulást eredményezett a gyártási ciklus esetében.
A High-NA EUV technológiának egyelőre csak az Intel csapata szavazott bizalmat a nagyobb volumenben történő gyártás alkalmával, a TSMC ezzel egy időben a Low-NA EUV technológiánál maradt, ugyanis szerintük a régebbi eljárással is versenyelőnyben tudnak maradni a gyártástechnológiai fejlesztéseknek és az optimalizációknak köszönhetően. Egyelőre a Samsung Foundry sem siet a High-NA EUV gépek bevetésével, a legfrissebb hírek szerint 2030-ra halasztották a technológia használatát, ami a dél-koreai vállalatnál az 1 nm-es csíkszélességgel debütálhat.
A High-NA EUV eszközök alkalmazásával nemcsak azért nem sietnek az Intel riválisai, mert komplexebb gyártási folyamatot követelnek meg, hanem azért is, mert ezek az eszközök rendkívül sokba kerülnek. Egy High-NA EUV gép nagyjából 400 millió dollárba kerül, míg egy Low-NA EUV gépért nagyjából feleekkora összeget kérnek el. Mivel jelenleg egyik rivális sem látja szükségét annak, hogy ilyen méregdrága gépekkel fokozza versenyképességét, így nem is tolonganak érte, de a későbbiekben, ahogy a gyártástechnológiák további fejlesztése egyre inkább szükségessé teszi a High-NA EUV gépek bevetését, egészen biztosan alkalmazni fogják őket.
