Plane-magyarázat (Forrás: AnandTech) A Toshiba a Flash Memory Summit alkalmával egy új 3D NAND Flash memóriatípust mutatott be, amely az XL-Flash nevet viseli. Az új NAND Flash memóriatípus gyakorlatilag ugyanolyan alap gyártástechnológiával készült, mint a 96-rétegű BiCS4 3D NAND Flash lapkák, viszont sokkal rövidebb bit- és szóvonalakat alkalmaz, valamint a jelenlegi NAND Flash megoldásokhoz képest több blokkcsoportot (plane-t) is használhat egy-egy lapka, nem csak kettőt vagy négyet, mint manapság.

Az XL-Flash legnagyobb különlegessége, hogy a TLC NAND Flash alapú megoldásokhoz képest csak egytizednyi olvasási késleltetéssel rendelkezik, így véletlenszerű olvasási feladatok esetén kifejezetten jól teljesít a hagyományos megoldásokhoz képest – az előny különösen alacsony lekérdezési mélység (Queue Depth) esetén szembetűnő.

Maga az XL-Flash a tervek szerint SLC és MLC változatokban kerül bevetésre, méghozzá különböző mennyiségű blokkcsoport felhasználásával. Első körben a Toshiba az SLC alapú változatot dobja piacra, később azonban az MLC alapú megoldások is XL-Flash a Flash Memory Summit-on megérkeznek.

Az aktuális információk alapján a Toshiba XL-Flash hasonló lesz a Samsung Z-NAND koncepciójához, hiszen mindkettő próbálja átalakítani a NAND Flash dizájnt valami olyasmivé, ami jobban állja a sarat a friss nem-illékony (Non-volatile) memóriatípusokkal szemben, mint amilyen például a 3D Xpoint.

Az előzetes adatok ígéretesek, de hogy az XL-Flash tényleg népszerű lesz-e a megcélzott piaci szegmensekben, vagyis az üzleti konfigurációk és az adatközpontok területén, az majd csak később derül ki.

A Toshiba egyelőre sajnos nem árulta el, hogy pontosan mikor válnak elérhetővé az újfajta memóriachipek, valamint az sem derült ki, hogyan viszonyul majd az áruk az aktuális NAND Flash alapú megoldásokéhoz. Adatsűrűség terén várhatóan gyengébb lesz az XL-Flash, mint a 96-rétegű TLC NAND Flash alapú megoldások, de hogy pontosan mennyivel, az is csak később derül ki.