A Samsung Z-SSD sorozatának első képviselői a napokban mutatkoztak be, így már nagyjából tudható, mire számíthatunk az SZ985-ös SSD kártyáktól, amelyek (egyelőre) ketten vannak: egyikük 240 GB-os, a másik pedig 800 GB-os. A Z-NAND alapú SSD kártyák fejlesztése már elég régóta zajlik, a félkész termékeket pedig már több nagy kiállításon is bemutatta a vállalat. Adattároló kapacitások terén egyelőre nem sikerült tartani a korábbi ígéreteket, amelyek 1 TB-os, 2 TB-os és 4 TB-os modellek érkezéséről szóltak, de legalább most már bemutatkozott a család.
A PCI Express 3.0 x4-es csatolófelülettel rendelkező Z-SSD kártyák fedélzetén Samsung gyártmányú SSD vezérlő dolgozik némi Z-NAND Flash alapú tárhely társaságában, a műveletek gyorsításában pedig LPDDR4-es gyorsítótár segít. A Z-NAND lapkatípus tulajdonképpen egy speciális, 3D NAND Flash rendszerű megoldást takar, ami a Samsung klasszikus, TLC alapú 3D V-NAND Flash chipjeihez képest számos területen képvisel előrelépést. A Z-NAND memóriacelláinak teljesítménye tízszer nagyobb, mint a 3D TLC NAND lapkáké, ami a PM963-as NVMe SSD kártyákéhoz képest 70%-kal magasabb véletlenszerű olvasási teljesítményt eredményez. Az nem derült ki, hogy az olvasási késleltetés hogyan alakul, az írási késleltetés azonban mindössze 16 mikroszekundum.
A publikált adatok alapján arra számíthatunk, hogy az SZ985-ös sorozat tagjai akár 750 000 I/O művelet elvégzésére is képesek lesznek véletlenszerű olvasási feladatok alkalmával, azaz jóval gyorsabbak, mint az Intel 3D Xpoint alapú Optane SSD DC P4800X, ami csak 550 000 IOPS-os teljesítményre képes. A véletlenszerű írási tempó cserébe sokkal lassabb, mindössze 170 000 IOPS-os, azaz 77%-kal marad el a véletlenszerű olvasási teljesítménytől – míg az Intel említett SSD kártyájánál csak 7%-os a különbség a két érték között, azaz kiegyensúlyozottabb a véletlenszerű műveleteket érintő teljesítmény.
Ugyan írási teljesítmény terén nem lesz rekorder a Samsung Z-NAND sorozatának SZ985-ös családja, strapabíróság terén így sem kell szégyenkezniük a tagoknak, hiszen az Intel DC P4800X modelljéhez hasonlóan napi 30 meghajtó-teleírást viselnek el az öt éves jótállási idő keretén belül. A Samsung újdonságainak legnagyobb előnye az lehet, hogy planáris SLC NAND Flash szint közeli teljesítményt nyújthatnak, mindezt költséghatékonyan, hála a 3D NAND Flash struktúrának.
A Z-NAND család első tagjaival kapcsolatban egyelőre több biztos információ nem áll rendelkezésre, így a teljes képről majd csak a február 11-től 15-ig tartó ISSCC alkalmával hullik le a lepel.
