A Samsung rövidesen lezár egy több évtizede zajló korszakot: idén leállítják a kétdimenziós NAND Flash memóriachipek sorozatgyártását, ugyanis a termékek iránt a jelek szerint nincs akkora kereslet, hogy megérje folytatni a gyártást. A döntésben valószínűleg komoly szerepet játszik az is, hogy az AI-láz miatt hatalmas mennyiségben igényel HBM típusú memóriachip-szendvicseket a piac: a leállított gyártósorokon a tervek szerint éppen ezért HBM4 szabványú memóriachip-szendvicseket készítenek majd.
A The Elec Korea információi szerint a Samsung döntése a Hwaseong ipartelepen található Line 12-es üzemegységet érinti majd, amelyen még mindig zajlik a 2D NAND Flash memóriachipek gyártása. Az üzem leállítását követően természetesen nem hagyják magára a gyártósort, azonnal elkezdik átalakítani annak érdekében, hogy a HBM4-es memóriachip-szendvicsek alapjául szolgáló DRAM lapkák termelése megindulhasson rajta.
Egy-egy ilyen HBM4-es memóriachip belsejében több DRAM lapka foglal helyet, amelyek egymásra rétegezve dolgoznak, az alapot biztosító lapka pedig a Samsung tervei szerint ezúttal egyedi komponenseket is kaphat, ha a megrendelő igényli, ezáltal az AI gyorsítók feladata megkönnyíthető: a memóriában tárolt adatkészleteken különböző feladatokat végezhetnek el az alap lapkára integrált komponensek, ezzel növelve a rendszer összteljesítményét. A Line 12 átalakított verziója a hírek szerint a DRAM lapkák fém vezetőrétegeinek gyártását végzi majd, vagyis az lesz a feladata, hogy a memóriacellák közötti vezetőszálakat létrehozza.
Érdekesség, hogy a Hwaseong Line 12 havi szilícium-ostya gyártó kapacitása havi szinten 80 000 és 120 000 darab közötti 12 hüvelykes ostyára tehető, azaz eléggé jelentősnek nevezhető. Ezt a kapacitást rövidesen már nem 2D NAND Flash memóriachipek, hanem HBM4-es memóriachip-szendvicsekbe szánt DRAM lapkák gyártására használják majd, minden bizonnyal ugyanekkora gyártókapacitás mellett.
Az átalakított gyártósoron ennek megfelelően a Samsung 6. generációs 10 nm-es osztályú 1c DRAM chipjei készülnek majd, így az 1c osztályú csíkszélességgel készülő DRAM lapkák teljes gyártókapacitása várhatóan havi 200 000 szilícium-ostyára rúg majd, amit az év második felében érhet el a Samsung. A Hwaseong Line 12 mellett a Pyeongtaek Line 3 és Line 4 is ezeket a DRAM lapkákat termeli majd, így jön ki az említett havi gyártókapacitás.
Maga a 2D NAND Flash memória-technológia eléggé régóta elérhető a piacon, az első ilyen NAND Flash memóriachipek az 1990-es évek végén debütáltak és azóta is gyártják őket, igaz, az utóbbi időszakban egyre inkább elkezdett visszaszorulni a termelés, hiszen a 3D NAND Flash szinte mindenhol átvette a régi technológia helyét. A 2D NAND Flash technológiához képest a 3D NAND Flash számos előnyt kínál: nagyobb teljesítményre képes, megbízhatóbban működik, illetve jelentősen nagyobb adatsűrűséget is biztosít. Ezek mind-mind hozzájárultak ahhoz, hogy az SSD piacon a korábban tapasztalt fejlődési tempó végbe mehessen.
A HBM4-es termelést segítő új gyártósor révén hatékonyabban kiszolgálhatja majd a Samsung az AI szegmens igényeit, ezzel egy időben nagyobb profitra is szert tehetnek, mintha továbbra is a 2D NAND Flash memóriachipek gyártásában gondolkodnának.
